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溅射功率和气氛对Sialon薄膜介电性能的影响.pdf
倪若惠等：溅射功率和气氛对Sialon薄膜介电性能的影响 文章编号：1006-6268(2009)04--0023-05 l 技 aon薄膜 术 溅射功率和气氛对Si 交 玩 介电性能的影响 倪若惠坦。杨新1，刘红君1‘3，张羿1·3 (1．上海交通大学电子信息与电气工程学院。上海200030； 2．汉高股份有限公司电子技术部。上海201203； 3．上海广电电子股份有限公司平板显示研究开发中心。上海200072) 薄膜．研究了沉积功率对SiMon薄膜的介电性能的影响。发现在Ar／N2气氛中沉积的Sialon薄 膜具有较高的介电常数，漏电流密度和介电损耗也稍大。在趾／N2气氛下沉积的SiMon薄膜的 场下的正、反向漏电流密度在10。10~10弘数量级，击穿场强在201～476MV／m；在Ar／02气氛下 MV／m 50MV／m直流电场下的正、反向漏电流密度在10—10～10权数量级，击穿场强在260～305 层的TFT器件中获得了较好的结果。 关键词：SiMon薄膜；射频磁控溅射；介电性能；无机电致发光；薄膜晶体管 中图分类号：TP391．41文献标识码：A ofRFPowerand GasesontheDielectric TheEffect Working ofSialonThinFilms Properties NIRou—hui他，YANGXinl，LIU Yil3 Hong-jun伯，ZHANG of andElectrical Jiao Electronic，Information (1．School Engineering，ShanghaiTong TCS Group，HenkelCompanyLtd．， University，Shanghai，200030，China；2．ASE RD Electron Panel Co．，Ltd．， 203，China；3．FIalDisplayCentre，SVA Shanghai，201 Shanghai，200072，China) thinf．Imswiththicknessinthe of80—300nmwere bothat Abstract：Sialon
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