烧结温度对CaCu3Ti4O12陶瓷C波段介电性能的影响.pdfVIP

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2015-08-18 发布于重庆
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烧结温度对CaCu3Ti4O12陶瓷C波段介电性能的影响.pdf

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烧结温度对CaCu3Ti4O12陶瓷C波段介电性能的影响.pdf

下半月出版 Material＆Heat TrealraenLI材料热处理技术性能的影响李凡，朱冬梅，罗发，周万城 (西北工业大学材料学院凝固技术国家重点实验室，陕西西安710072) C波段(3．95～5．85OHz)的介电性能的影响。结果表明，在1040℃烧结的试样除了含有CCTO，还存在部分没有反应的 Tio：。随着烧结温度的升高，TiO：逐渐消失。与1040℃和1060℃烧结的试样相比，在1080℃烧铝的试样品粒尺寸较大且粒径较均匀。而在1100℃烧结的试样有明显的熔化现象。试样的擀度随烧结渴度的升高而增加，在1080℃时达到最大值。烧结的试样，其介电常数随着烧结温度的升高而增加，而在l100℃烧结的试撵的介电常数反面有所降低。不同烧结温度下的CCTO陶瓷的介电常数和介电损耗随频率的增大变化不大。在所得的试样中．在1080℃ 烧结的CCTO陶瓷介电常数最高．介电损耗最低。关键词：固相反应法；CaCuJhol2陶瓷；介电性能中围分类号：T8321 文献标识码：A 文章编号：100t．3814(2012)06-0007．03 Effectsof on BandDielectric of C Temperature Properties Sintering Ceramics CaCu3Ti40n LIFan，ZHU Fa，ZHOU Dongmei，LUOWancheng ofSolidiflcatton Scienceand (State Laboratory Processing，Materials Polytechnic Key Engineering,Nortlawestera University，Xi‘an710072，Chim) was viasolidstate methods．Theeffectsof Abstract：CaCu3Ti4012(CCTO)ceramicprepared synthesis sintering onthe anddielectric ofCCTOatC GHz～ temperaturecrystallinephase，microstructure，densityproperties band(3．95 5．85 studied．Theresultsshowthatforthe shatcredatJ aresoflletin-reacted GHz)WaS 040℃。there Ti02 sample existing， which asthe illcrcascs．Thesizeofthe sinteredat1080℃isandmore disappearsintefi