透明导电氧化物薄膜的研究进展综述.pdfVIP

维普资讯 真 空 科 学 与 技 术 学 报 第25卷 第6期 JoImNAI．OFVACUUMSCIENCEANDTEcHNo10IGY(CHINA) 2OO5年 l1、12月 P型透明导电氧化物薄膜的研究进展 刘高斌 冯 庆 ， 李 丽 廖克俊-匡 (I．重庆大学应用物理系 重庆 400044；2．重庆师范大学物理系 重庆 4OOO46) RecentAdvancesofP—typeTransparentConductingOxideFilms uuGa ，FengQiIlg1,2u“，I_jaoKejun柚d匦 因 (1．，】甲珊 ofAppt~ Physics，ChongqingUnive,sity，Chons~ng4O0O44，China； 2．DepartmentofPhysics，TheNormalUniwsityofChongqing，Chongqing4OOO46，Chn／a) Abstract Thelatestprogressinvariousaspectsofp-typetransparentconducting∞i【defilm，includingmaterialscharacterization，film growthtechnology，anditsappUcationinfabricationofelectronicdevicesand lns0rs，wastentativelyreviewed． Keywords Semiconductorthinfilms，p-typetransparentconductingthinfilms，Review，Transparent商 de，Positive transparentdevices 摘要 P型透明导电膜是近来发现的一种新型的材料，在透明有源器件、传感器、透明电极和电路等方面具有广泛的潜 在应用。近来在这方面的研究取得了一些突出的进展。本文主要综述了关于P型透明导电膜在材料、沉积工艺以及相关器 件方面的研究进展。 关键词 半导体薄膜 P型透明导电膜 综述 透明氧化物 透明有源器件 中图分类号：0472 文献标识码：A 文章编号：1672—7126(2005)06-0444-05 透明导电膜，既具有可见光范围光学透明性，又 具有许多独特的优点和广泛的应用前景，但是理论 具有 良好的导电性，因此已被广泛地应用于光电子 表明要构成P型透明导电材料，要求其价带顶具有 器件中。例如，用作太阳电池、平板显示屏、触摸屏 较小的有效质量以形成浅受主能级。在实践中这一 和L一ED等器件的透明电极。在光电子产业中，它占 要求却很难实现，因此设计和制备既具有可见光透 了重要的地位，给社会带来了巨大的经济效益，据估 明性，又具有良好导电性的P型膜具有很大的难度， 计透明导电膜的相关产品年销售量达3亿美元…1。 一 直都没有大的进展。直到 1997年，l(a姗蜀0e2【J等通 迄今为止，投入实际应用的透明导电膜都是 n 过新的材料设计概念，首次制备出了铜铁矿结构的 型半导体薄膜。在微电子和光电子器件以及电路的 CuA102透明薄膜在室温下呈现了较好的P型导电 应用中，它只能作为无源器件，因而限制了透明导电 性。在此激励下，P型透明导电膜的研究如火如荼， 膜的利用空间。如果能制备出P型的透明导电膜， 相继发现了多种类型的P型透明导电材料。还出现 则可以拓宽它的应用领域——使之从无源器件，拓 了相关的透明器件研究，例如透明的pn结 ]、Uv— 展到有源器件。例如可以制作透明pn结、肿 等有