BiNb04掺杂对钛酸钡陶瓷介电性能的影响.pdfVIP

维普资讯 第30卷第5期 压 电．与 声 光 Vo1．3ONo．5 2008年 1O月 PIEZ0ELECTECTRICS ＆|AC0USTOOPTICS 0ct．2008 文章编号 ：1004—2474(2OO8)05—0618—03 BiNbO4掺杂对钛酸钡陶瓷介电性能的影响 梁一帅，杨成韬，周晓华，唐 彬，徐 洋 (电子科技大学 电子薄膜与集成器件国家重点实验室，四川 成都 610054) 摘 要 ：在 BaTiO。(BT)一NbzOs—ZnO三元系统中加入 BiNbO 以获得中温烧结的X8R陶瓷材料 。研究发现 ， BT陶瓷系统的室温介电常数随BiNbO 掺杂量 的增加而减小，适量 的BiNbO 可改善 BT陶瓷的高温稳定性 。 SEM 和 XRD分析表明，掺杂 BiNbO 可在BT系统 中产生条状第二相 BiTi0z，且第二相 的比例 随 BiNbO 掺杂 浓度的增加而增大 。低介第二相BiTi0z的产生是 BT陶瓷系统介 电常数下降的原因。在空气中于 1100℃下烧 成的BaTiO。陶瓷材料的主要性能指标：室温介 电常数E2qx1％00，介 电损耗 tan ≤1．0 ，电阻率 ．D≥10“Q · cm，一55～+125C范围内最大 电容量变化率不超过±10 。 关键词 ：X8R；钛酸钡 ；BINbO ；介电性能 中图分类号 ：TM534 文献标识码 ：A EffectsofBiNbO4DopantsUponDielectricPropertiesofBaTiOsCeramics LIANG Yi—Shuai，YANG Cheng-Tao，ZHoU Xiao-Hua ，TANG Bin，XU Yang (StateKeyLab．ofElectronicThinFilmsandIntegratedDevices，UniversityofElectronicScienceand TechnologyofChina，Chengdu610054，China) Abstract：Inthisstudy，BiNb04havebeendopedintoBaTi03(BT)一Nb2O5-Zn0 ternarysystem inordertoob— taintheX8R materialssinteredatintermediatetemperature．Theexperimentresultshaverevealedthatthedielectric constantatroom temperaturedecreasewiththeincreaseamountofBiNb04．butaproperusageofBiNb04can im— provedielectricpropertiesofBT cerimicsathightemperature．TheSEM and XRD analysisshowed thatBiNb0t dopedBT system willproducethestrip-shaped secondaryphaseBi4Ti3O12．Theproportionofthesecondaryphase grainsincreaseasBiNbO4contentsincrease．TheformationofthesecondaryphaseofBi4Ti3O12withlow dielectric constantispresumedtobethefactorthatthedielectricconstantofBT ceramicsdecreases．TheBaTiO3ceramicscan besinteredatatemperatureaslow as1100。C inairatmosphe