单片后道新设备工艺参数固化——技术创新评价表.docVIP

技术创新评价表 项目名称 单片后道新设备工艺参数固化 项目等级 承接单位 11.24 技术创新总结 HighMax SHM-200贴膜机工艺 使用UV膜进行贴膜，由于使用6〞工作台， 在对4英寸晶圆贴膜时。UV膜粘附在工作台上，造成贴膜完成后取件困难，甚至由于UV膜粘连在工作台上使得在取件时晶圆破裂。故需要在工作台上覆盖UV离型膜，防止UV膜粘附在工作台面。 DAD322切割机砷化镓切割工艺 使用4英寸砷化镓晶圆对切割机进行试运行。划片道宽度160um，晶圆 厚度100um，UV膜厚度100um。主轴转速30000 r/min，刀片高度75um，进刀速度2mm/s，试验结果如下： 刀片型号 ZH05-SD3000-N1-50 BB Y方向边缘宽度 Y方向芯片尺寸 X方向芯片边缘宽度 X方向芯片尺寸 X方向最大划痕+崩边宽度 Y方向最大划痕+崩边宽度 60 922 60 920 58 42 59 921 64 921 57 42 50 923 60 923 66 42 43 922 60 924 73 42 52 921 56 921 60 45 72 921 60 920 54 38 60 919 62 922 60 38 58 920 54 920 66 48 60 919 60 919 55 38 60 919 59 920 53 37 最大值 72 923 64 924 73 48 平均值 57.4 920.7 59.5 921 60.2 41.2 最小值 43 919 54 919 53 37 误差范围 29 4 10 5 20 11 芯片正面： 技术创新总结 芯片背面： 芯片侧边： 使用此种刀片，刀痕宽度为41um左右，但崩边较严重，长行程运行后发现有数处裂纹，但芯片尺寸误差范围在5um内，即芯片尺寸符合要求。X方向与Y方向崩边情况不同为晶圆本身晶向所至，故X方向崩边会大于Y方向崩边。 技术创新总结 刀片型号 NBC-ZH 226J-SE 27HABB Y方向边缘宽度 Y方向芯片尺寸 X方向芯片边缘宽度 X方向芯片尺寸 X方向最大划痕+崩边宽度 Y方向最大划痕+崩边宽度 59 921 66 923 36 32 58 922 65 924 40 31 54 921 65 923 43 31 56 922 64 924 40 31 60 921 68 924 39 32 59 920 66 924 38 33 57 921 65 924 41 33 55 922 64 924 39 34 58 921 65 924 40 34 58 921 65 925 43 31 最大值 60 922 68 925 43 34 平均值 57.4 921.2 65.3 923.9 39.9 32.2 最小值 54 920 64 923 36 31 误差范围 6 2 4 2 7 3 芯片正面： 芯片背面： 技术创新总结 芯片侧边： 使用此种刀片，刀痕宽度为32um左右，但崩边大为改善，长行程运行后没有发现裂纹和背崩的情况。芯片尺寸误差范围在2um内，即芯片尺寸符合要求。X方向与Y方向崩边情况不同为晶圆本身晶向所至，故X方向崩边会大于Y方向崩边。较前一种刀片崩边减小了70%。 故今后采取NBC-ZH 226J-SE 27HABB刀片，主轴转速30000 r/min，刀片高度75um，进刀速度2mm/s，即可对砷化镓晶圆进行切割。 对于硅片，则采取100mm/s的进刀速度。石英基片，采取5mm/s的进刀速度均可达到较好的切割效果。 DCS1440晶圆清洗机 我们对切割后的4英寸晶圆进行了清洗，喷水时间设定为喷淋30s，吹干30s，工作盘转速1200r/min。对清洗后的晶圆在100倍显微镜下观察，可以达到验收要求。 评审结论 评审组长： 申请人 许庆宪 审核 批准 JCB亚光微波