由RTDMOSFET构成的新型振荡电路.pdfVIP

第 卷 第 期 半 导 体 学 报 年 月 由 构成的新型振荡电路 王 伟 牛萍娟 郭维廉 于 欣 张世林 天津工业大学信息与通讯学院天津 天津大学电子信息工程学院天津 摘要基于一种新型的振荡机制利用共振隧穿二极管 固有的负阻和双稳特性与 器件相结合 首次实现了工作频率约为 的 高频振荡电路 文章首先从理论上深入分析了该电路的振荡 机理然后通过高级设计系统 软件仿真和实验验证了此振荡电路的正确性 该电路的实现有望解决传统的 基于 的振荡电路的功率限制问题如果进一步用高电子迁移率晶体管 等高频高速器件取代 可以在很大程度上提高这一电路的工作频率并可实现 的单片集成 因此该振荡电路在微波和 射频领域具有广阔的应用前景 关键字 串联单元振荡器 电路仿真 中图分类号 文献标识码 文章编号 引言 电路原理与仿真 随着现代电信系统和现代雷达系统的出现我 振荡器的电路结构如图