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哈工大高电压技术复习要点 简答题.pdf

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哈工大高电压技术复习要点 简答题

高电压技术课程总结 1 第一篇 1、气隙中带电粒子是如何形成的? 1、气隙中带电粒子是如何形成的? 气体分子在外界因素的作用下,发生电离而 气体分子在外界因素的作用下,发生电离而 分解成电子和正离子。 分解成电子和正离子。 2、电离的主要形式有哪几种? 2、电离的主要形式有哪几种? 碰撞电离、光电离、热电离、金属表面电离 碰撞电离、光电离、热电离、金属表面电离 3 、气体放电的主要形式有哪几种? 3 、气体放电的主要形式有哪几种? 辉光放电、火花放电、电晕放电、 辉光放电、火花放电、电晕放电、 刷状放电、电弧放电 刷状放电、电弧放电 2 4、汤逊理论的实质? 4、汤逊理论的实质? 电子碰撞电离是气体放电的主要原因,二次 电子碰撞电离是气体放电的主要原因,二次 电子来源于正离子撞击阴极表面逸出电子,逸出 电子来源于正离子撞击阴极表面逸出电子,逸出 电子是维持气体放电的必要条件。 电子是维持气体放电的必要条件。 汤逊用电子碰撞电离和正离子碰撞阴极表面 汤逊用电子碰撞电离和正离子碰撞阴极表面 使阴极释放二次电子来说明自持放电的理论,它 使阴极释放二次电子来说明自持放电的理论,它 能较好地解释低气压、短气隙中的放电现象。 能较好地解释低气压、短气隙中的放电现象。 3 5、流注理论的实质? 5、流注理论的实质? 形成流注的必要条件是电子崩发展到足够的程 形成流注的必要条件是电子崩发展到足够的程 度后,电子崩中的空间电荷足以使原电场明显畸 度后,电子崩中的空间电荷足以使原电场明显畸 变,大大加强电子崩崩头和崩尾处的电场;另一方 变,大大加强电子崩崩头和崩尾处的电场;另一方 面,电子崩中的电荷密度很大,所以复合过程频 面,电子崩中的电荷密度很大,所以复合过程频 繁,放射出的光子在这部分强场区很容易成为引发 繁,放射出的光子在这部分强场区很容易成为引发 新的空间光电离的辐射源。 新的空间光电离的辐射源。 流注理论认为:二次电子的主要来源是空间光 流注理论认为:二次电子的主要来源是空间光 电离;气隙中一旦出现流注,放电就可以由本身产 电离;气隙中一旦出现流注,放电就可以由本身产 生的空间光电离自行维持。 生的空间光电离自行维持。 4 6.均匀电场和极不均匀电场气隙放电的特点? 6.均匀电场和极不均匀电场气隙放电的特点? 均匀电场:任意位置的自持放电将迅速引起气体间 均匀电场:任意位置的自持放电将迅速引起气体间 隙击穿,放电的起始电压U 为击穿电压; 隙击穿,放电的起始电压U 为击穿电压; 00 极不均匀电场:当电压达到U 后,首先出现电晕放 极不均匀电场:当电压达到U 后,首先出现电晕放 00 电,U 为电晕起始电压,电压继续升高,相继出现刷 电,U 为电晕起始电压,电压继续升高,相继出现刷00 状放电、火化放电(或电弧放电)。 状放电、火化放电(或电弧放电)。 5 7、极间距离相同的正、负极性“棒—板”气隙在自持放电 7、 前、后气体放电的差异。 自持放电前的阶段(电晕放电阶段) 正极性“棒—板”:因棒极带正电位,电子崩中的电 子迅速进入棒极,正离子暂留在棒极附近,这些空间电荷 削弱了

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