电子电路学门延迟实验.pdfVIP

6.002 范 例 演 示 #11 ， 11A ， 11B （ 下 载 安 装 demo#11.set ）；（ 下 载 安 装 demo#11A.set）：（下载安装 demo#11B.set） 门延迟 Agarwal 2000 年 秋季 第 12 课、13 课 目的：这个演示研究的是门延迟，利用的是两个级联的 MOSFET 反相器，它也是一个 RC 电路模型。一个方波输入被加到第一个反相器上，三个相关的波形（输入、中间、输出）都 显示在示波器上。提高输入的频率，门延迟现象变得更加显著（相对于方波周期而言）。中 间波形显示了通常的衰减指数响应，在第二个反相器处产生了一个延迟响应。 演示的第二部分展示了方波输入对 RC（LPF 低通滤波器 low-passfilter）电路时的响应。这 被用来引出和验证 MOSFET 的门-源极电容模型。 步骤： 1， 将方波输入设定为低频（100Hz）加到级联的反相器上，在示波器上观察输入波形、中 Switch Switch 间波形（在两个反相器之间）和输出波形。注意这些信号都与 MOSFET 的 S〔SSwwiittcchh switch resistor switch resistor 开关模型）或者 SR（sswwiittcchh rreessiissttoorr 开关电阻模型〕模型是相一致的。 2， 将方波输入设定为较高的频率（3kHz），在示波器上重新观察这三个波形。注意中间波 形的缓慢上升段和相应的在输出转变时的延迟（以及随后占空比发生的变化）。 3， 将方波输入驱动改加到 RC 电路上。注意衰减指数响应。这将引出 MOSFET 的门源极之 间的电容器模型。（注意：它可能适合利用电阻上的电压降来表示流过这个电容器的电 流。） 描述：门延迟 1） 首先设置 FG1 为 100Hz 方波，幅值为 5v（峰—峰值），偏置为 2.5v（峰—峰值），在 CH1、CH2、和 CH3 处观察这三个波形，看不到延迟现象。 2） 改变频率（FG1）从 100Hz 改为 3KHz，幅值和偏移量保持不变。然后下载安装和演示 #11A，再在 CH1、CH2、和 CH3 处观察这三个波形，可以看到延迟现象。 3） 将面板上的开关打到 RC CKT（CKT 为 circuit 的缩写），设置 FG2 为频率为 1KHz 的方 波，幅值为 5v（峰—峰值），偏移量为 2.5v（峰—峰值）。然后加载设置和演示#11B， 观察 CH1 和 CH4 处的波形。 注意：FG1 和 FG2 必须设定为“HiZ（高阻状态）”! 参看下页的原理图和波形，可以得到更多的信息，并指出来!! 而且参看下页的 Fg1 和 Fg2 。 这个演示中，我们利用电源给电容器充电、通过一个电灯泡给它放电…… 示波器设置 波形发生器设置 注意：在 Agarwal 教授加载的演示#11AA.set 中，他也把 FG1 的频率置成了 500Hz 注意：演示#11C 只显示了输入和输出波形，门极波形被隐藏了起来，但是可以点击使之显 示出来。 门延迟 本文由耐克休闲鞋网站编辑