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ADC：实现测量数字化的必经之路 高速和低分辨率ADc经历二原来是一个全能的示波器供应商， 根据泰克的生产经验，10GHz 十年才实现取样率从1Gs，s到后来精简机构把半导体部门剥离， 测量系统的速度与单元晶体管速度 20Gs，S的进步，但缺少通用芯片可但留下一百多名工程师的集成电路 之比约为lO：1。预计Si的双极和 供使用，最近几年情况有很大改 开发和支持队伍，在高速器件方面 cMos工艺已无希望，而转为siGe 善。温故而知新，通过下文的回顾， 与IBM微电子部密切台作。两公司工艺尚待实践，放弃熟悉的 可以预期高速和较高分辨率的ADc取得成功的关键是采用siGe材料sicMOs工艺，再投入可观的研发 将有更多突破，出现更多的应用。 制作高速ADc等数字示波器前端经费，需要科学的论证。终于，泰 集成电路，当时其它竞争对手仍然 克方面迈开重要的一步，放弃si材 料而使用siGe，Ic设计人员从头学 专用ADc遥遥领先 着意开发s1的cMos集成电路。 推动ADc取得优异成果的主IBM掌握siGe的BicMOS工艺，既起，IBM方面对数字电路熟悉但缺 要力量来自电子测量仪器业界，安 可制成双极模拟电路，亦可生产高 乏双极电路经验，而且泰克是第一 捷伦和泰克都拥有自己的专用集成 速数字电路和混合电路，比si工艺 家siGe用户，合作只许成功不能失 电路设计和制造部门，目的 败。IBM发挥siGe优势，改进 是保持测量仪器的超性能， 工艺至综合双极和cMos兼 在各种仪器专用器件中对 容，泰克发挥仪器电路的经 ADc投入的力量最强对此 验，改进设计。双方台作从 安捷伦和泰克两公司为测量 1996年开始，1997年进入攻坚 业界创造了奇迹，从2000年 阶段，2000年在IBM代号为 开始至2005年巾期，依靠 “5HP”的制程基础上获得一 ADc性能的不断提升，从取 批数字示波器前端高速Ic，包 样率2Gs，s和分辨率8位起 括ADc为核心的输入宽带放 SiGe 图1 BiCMOS的发展趋势 步，跃进到现在的取样率 大器、取样保持电路、精确时 更适合高性能测量仪器的要求。在 钟电路、波形处理用的DsP、高速 20Gs，s和分辩率8位的最高水平， 存储器、开关阵列等关键器件。泰 使数字示波器顺利地越过实时带宽 1990年后期开始取得突破，siGe的 BicMos集成电路的晶体管振荡速克公司在这些siGe集成电路基础 lGHz的难关走向16GHz，同时对实 上推出著名的TDs7000系列数字荧 现频谱分析仪推进到6GHz，以及测度达到60GHz，当时si的双极晶体 光示波器，早期产品的ADc取样率 管振荡速度只有25GHz。现在siGe 试有关2G、25G和3G移动通信指