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第一章 半导体器件概述
§1.1 PN结及二极管
1.1.1 半导体及PN结
1.1.2 二极管的基本特性
1.1.3 二极管的电路模型及主要参数
1.1.4 特殊二极管
§1.2 半导体三极管
§1.3 半导体场效应管
§1.4 集成运算放大器
1
杂质半导体
在本征半导体中掺入某些微量的杂质，就会
使半导体的导电性能发生显著变化。其原因是掺
杂半导体的某种载流子浓度大大增加。
掺入的三价元素如硼（或铟），
形成P型半导体
掺入杂质的本征半导体。
杂质半导体
掺杂后半导体的导电率大为提高
掺入的五价元素如磷（或锑），
形成N型半导体 2
PN结及半导体二极管
若使P型半导体和N型半导体
“亲密接触”，会发生什么现象？
PN 结的形成
在同一片半导体基片上，分别制造P型半
导体和N 型半导体，经过载流子的扩散，在
它们的交界面处就形成了PN 结。
3
载流子浓度差 多子扩散 杂质离子形成空间电荷区
空间电荷区形成内电场
内电场促使少子漂移 内电场阻止多子扩散
扩散运动 多子从浓度大向浓度小的区域运动，称为扩散。
扩散运动产生扩散电流。
漂移运动 少子向对方运动，称为漂移。
漂移运动产生漂移电流。
动态平衡 扩散电流=漂移电流，PN结内总电流为0。
PN 结 稳定的空间电荷区，又称为高阻区、 耗尽层，…
4
PN结加正向电压时，耗尽
层变薄，呈现低电阻，具有
较大的正向扩散电流；
PN结加反向电压时，
，耗尽层变宽，呈现高
电阻，具有很小的反向
漂移电流。
结论：PN结具有单向
导电性。 5
特殊二极管
1. 稳压二极管
- 曲线越陡， I
电压越稳
定。
+
U
Z
稳压 U
误差
I
Z
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