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2015-07-22 发布于山西
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L9936 20V PN MOS Under DC60V SOP8 台湾朗宇国际LUL

Dual Enhancement Mode MOSFET (N- and P-Channel) Features Pin Description D1 N-Channel D1 D2 20V/6A, D2 RDS(ON) =23mΩ (typ.) @ VGS = 4.5V R =34mΩ (typ.) @ V = 2.5V S1 DS(ON) GS G1 S2 P-Channel G2 -20V/-4A, Top View of SOP − 8 RDS(ON) =60mΩ (typ.) @ VGS =-4.5V R =80mΩ (typ.) @ V =-2.5V (8) (7) (5) (6) DS(ON) GS D1 D1 D2 D2 Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices Available (4) (RoHS Compliant) (2) G2 G1 Applications Power Management in Notebook Computer, S1 Portable Equipment and Battery Powered (1) S2