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* 场效应晶体管 场效应管与双极型晶体管不同，它是多子导电，输入阻抗高，温度稳定性好。 结型场效应管JFET 绝缘栅型场效应管MOS 场效应管有两种: N 基底 ：N型半导体 P P 两边是P区 G(栅极) S源极 D漏极 （1）结构 1.5.1结型场效应管: 导电沟道 N P P G(栅极) S源极 D漏极 N沟道结型场效应管 D G S D G S P N N G(栅极) S源极 D漏极 P沟道结型场效应管 D G S D G S P G S D UDS UGS N N （2）工作原理（以P沟道为例） N N PN结反偏，UGS越大则耗尽区越宽，导电沟道越窄。 UDS较小时 UDS较小时 P G S D UDS UGS N N N N 但当UGS较小时，耗尽区宽度有限，存在导电沟道。DS间相当于线性电阻。 UGS越大耗尽区越宽，沟道越窄，电阻越大。 P G S D UDS UGS N N UDS较小时 UGS达到一定值时（夹断电压VP）,耗尽区碰到一起，DS间被夹断，漏极电流是ID=0。 P G S D UDS UGS UGSVp且UDS较大时UGDVP时耗尽区的形状 N N 越靠近漏端，PN结反压越大 P G S D UDS UGS UGSVp且UDS较大时UGDVP时耗尽区的形状 N N 沟道中仍是电阻特性，但是是非线性电阻。 G S D UDS UGS UGSVpUGD=VP时 N N 漏端的沟道被夹断，称为予夹断。 UDS增大则被夹断区向下延伸。 G S D UDS UGS UGSVpUGD=VP时 N N 此时，电流ID由未被夹断区域中的载流子形成，基本不随UDS的增加而增加，呈恒流特性。 （3）特性曲线 UGS 0 ID IDSS VP 饱和漏极电流 夹断电压 转移特性曲线 一定UDS下的ID-UGS曲线 予夹断曲线 ID U DS 2V UGS=0V 1V 3V 4V 5V 可变电阻区 夹断区 恒流区 输出特性曲线 0 N沟道结型场效应管的特性曲线 转移特性曲线 UGS 0 ID IDSS VP 输出特性曲线 ID U DS 0 UGS=0V -1V -3V -4V -5V N沟道结型场效应管的特性曲线 1.5.2 绝缘栅场效应管: （1）结构和电路符号 P N N G S D P型基底 两个N区 SiO2绝缘层 P N N G S D 金属铝 导电沟道 G S D N沟道增强型 N沟道耗尽型 P N N G S D 予埋了导电沟道 G S D N P P G S D G S D P沟道增强型 P沟道耗尽型 N P P G S D G S D 予埋了导电沟道 （2）MOS管的工作原理 以N沟道增强型为例 P N N G S D UDS UGS P N N G S D UDS UGS UGS=0时 D-S间相当于两个反接的PN结 ID=0 对应截止区 P N N G S D UDS UGS UGS0时 UGS足够大时（UGSVT）感应出足够多电子，这里以电子导电为主出现N型的导电沟道。 感应出电子 VT称为阈值电压 P N N G S D UDS UGS UGS较小时，导电沟道相当于电阻将D-S连接起来，UGS越大此电阻越小。 P N N G S D UDS UGS 当UDS不太大时，导电沟道在两个N区间是均匀的。 当UDS较大时，靠近D区的导电沟道变窄。 P N N G S D UDS UGS UDS增加，UGD=VT时，靠近D端的沟道被夹断，称为予夹断。 夹断后ID呈恒流特性。 ID *