硅基光子器件与光电子集成.pdfVIP

Ⅱ**№S：OED 大会报告 硅基光子器件和光电子集成 余金中 ¨l目##％}{#日R*n^嗍 E·叫，l=Ⅱb@g』±；∞ ⅢRl5，自1]m*＆R JⅥ“∞《 $*㈣L9№∞^“Ⅻ#m惝300080∞№Ⅱt自m$t静b∞^*#☆#***m*。 **目*f}№**№月qg**^t#m 1．硅摹光于器什的进艘 圈I示出了国际上各种律基光子器件的 的硅光r数据连接系统，它【|r以实现妊距 研究进展。町以看出，近年来硅基儿子器件 离、高速率的数据传输，传输速率高达50 已经获得坐程碑式的进胜．包括49GHz的0b-如。这项技术旨在把高带宽、低成本的 光电探测器，40Gbit／s的SOI调制器、光通信技术引八到各种汁算机设蔷巾，它预 200GHz硅纳米线AWG、混合型155微米 示着光了将在计算机领域取代电子成为实 耻基激光器等。160Gbit／s和200GbiI／s硅些现数据连接的主要找体，是计算机敏艟史卜 兜r接收机已经问f1I：。不久前，英特尔公刊 一个重要的里程碑。 成功研制：“r世界I。第一个集成r激光器 iofInI●I 50Gbp$T………d —I—m………一 Siliconmodul*or GHz 04(InIel}First 圈I硅基光于器件研究进腥 2，硅基光调制器和光开关 在光通信、光互连和光计算等麻用顿 信号。裘1列m了高速电光调制器／光开戈 域，集成光子学与技术发挥着檄其重要的作 的研究进展。 用。传统的『b瓦连币面临传输的瓶颈，而以 利用pIN二擞管高散的载流子注入t结 光互连代替电且连将是今后的丈发展趋 合高性能的MZl结构和微环和微盘谐振腔， 势。电光训制器与电光井关足光瓦连系统中 我们成功地研制出r高速的硅基IH光调制 的关键器件．分*Ⅱ用粜调制光信号和路由光 器，电光丌差和光栅祸台器 光学 诮制触率 W制※度 十M 研究机椅 电学姑构 *制速度 结构 Ⅷv“n) 消光№ 2004 MOS电容 【2(105 MOS电弃 10G¨8 2005 Come]I灭≠ ☆¨ I 5(jbps Luxlcra0日 PN蛄 200bDs Cornel]大学 m环 Tn[e10目 20GIn．30Gb∞ ⅢM公目 5·tOGb僻 胁瞄lldcN船大学 PN结 向}州 m环 PN#