Bi4-zLazTi3O12薄膜的制备与性能研究.pdfVIP

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2017-08-10 发布于安徽
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No．1 第30卷增1 压电与声光 SuppL 2008年6月 PIEZOELECTECTRICSACOUST00PrICSJ咀2008 文章编号：1004—2474(2008)SI一0006-03 Bi4--xLaxTi3012薄膜的制备和性能研究王文，杨高强，肖立华，柯华，孟庆昌，贾德昌，周玉 (哈尔滨工业大学材料科学与工程学院特种陶瓷研究所．黑龙江哈尔滨150001) 摘 (AFM)等技术手段对Sol—Gel法制备的BTO粉体和薄膜进行了表征，并采用铁电性能测试仪测试了薄膜的电滞回线。研究了不同热处理温度对粉体物相的影响。在紫外光辐照下，纯Bi-Ti凝胶粉体在400℃处理得到无定形粉向的钙钛矿相BLT薄膜。关键词：凰一：L山Ti03薄膜；紫外光辐照；溶胶一凝胶中图分类号：TQl74．75文献标识码：A and of ThinFilms Bi4--xLa工Ti3012 PreparationProperties WANGWen，YANG Li-hua，KEHua，MENG Yu Gao-qiang，XIAO Qing-chang，J[ADe-chang，ZHOU (InstituteforAdvsnced MaterialSdeneeand Instituteof 150001．Chins) ceramics，Dept．01 Engineering．HarbinTechnology．Harbin SOI-Gel Abstractt were UVradiation Bi．一：kTi3012(BLT．z=0、0．25、0．5、0．75)powderssynthesizedby method，andthenBLTferroelectricfilms withLa抖were onPt(11 suhstrate．The doped prepared 1)／Ti／Si02／si BLT andfilmswerecharacterizedsuch asXRD，AFMandferroelectrietestil鸲tru- powders by analysistechniques theBTO werestudied．XRDresults ment．Inaddition．effectsof onthe of crystallinetemperaturesphaSes powders WaSformedat600℃． indicatedthatan wasformedat400℃，a phasesBi．Ti3012 amorphoUSphase pureperovskite In 5 wereobtainedat500℃afterBLT BLT(Bi4一：kTi30l：．z=0．26…00．75)p