OLED中的激光技术.pdfVIP

OLED中的激光技术 ●付 国柱 摘要：Sony公司研发 了用于有源OLED的 c—SiTFT技术，采用二极管激光热退火 (Diode LaserThermalAnneal，DLTA)方法制备 了p~c-SiTFT阵列，在大显示面积上获得 了均匀而稳 定的发光像素驱动电流。另外，Sony公司还研发了激光导致的像素图形升华沉积技术 (Laser InducedPattern—wiseSublimation，LIPS)，以玻璃基板为施主衬底，将OLED发光材料精确转 移到了显示基板上。采用LIPS技术制作的RGB像素图形具有非常高的精度。基于DLTA和 LIPS两项激光技术，Sony公司制作 了27．3in的OLED 电视，为OLED 电视的批量化生产提供 了一个可行的技术方案 (ExcimerLaserAnnealing，EJ【A)，采用准分子激光器 1 前 言 发出的条形紫外光束对 PECVD沉积的非晶硅 (a— 近年来，很多平板显示制造商都在发展AM Si)薄膜进行扫描，a—si薄膜吸收激光能量，熔融 OLED (ActiveMatrix—OrganicLightEmittingDiode) 再结晶成多晶硅 (p—si)薄膜。准分子激光器的价 显示技术。与LCD相比．AMOLED具有屏前显示 格非常昂贵，而且其激光光束的均匀性和稳定性并 (FrontofScreen，F0S)、质量优异 、显示面板轻薄 不是很好，光束的长度扩展也有一定限度 ．这些限 和功耗低的优点。 制使p_SiTFr的玻璃基板尺寸难以突破第 4代的 在AM0LED发展的初始阶段 ，制造商采用的 880mmx680mm。 由于晶粒间晶界的存在 ，个体 是低温多晶硅薄膜晶体管 (LowTemperaturePoly T兀’间的电性能差异很大．其电流的不均匀性需要 SiliconThinFilmedTransistor．LTPSn )阵列基 由多个TFT组成补偿电路才能弥补。 板。OLED是电流驱动型器件．LTPST兀、具有很高 其后出现了a—si耵 驱动的AMOLED。AM 的电子迁移率，可以为OLED像素的发光提供足够 OLED的a—siTFvI1驱动方式最大的优点就是与现有 大的电流 ，而且在大电流工作下性能非常稳定。但 的LCD的a—siTFTr阵列基板制造工艺兼容 。易于 另一方面，LTPST丌 也有一些缺点，这些缺点主要 大批量生产，基板尺寸大，生产成本低 。但 a—Si 来 自于低温多晶硅薄膜的晶化方式。现在用于低温 TFTr迁移率过低 ，在大电流通过情况下稳定性差， 多晶硅薄膜的主流制造技术是准分子激光退火工艺 有阈值漂移现象。虽然一些厂家发展了补偿电路和 丝 卜 负偏压驱动的方法，但由于每个像素的发光情况各 粘接在一起，这层物质会降低器件性能和发光层转 有不同，产生的正偏压也不同，所以这些方法并未 移的质量 ；RIST方法中虽然没有这层粘接物质，但 取得满意效果。 其所采用的施主衬底是聚合物薄膜，在激光照射下， 现在 。被普遍看好的是微晶硅 (MicroCrys． 聚合物薄膜会释放 出气体 (O：和H2o等 )，对发光 tallineSilicon， c—Si)TFT技术。 c—Si，n 技术有 材料造成损害。另外，在没有粘结剂的情况下，将 很多潜在 的优势： c—si，n 可使用现有的LCD 柔性薄膜与大面积玻璃基板精细贴合在一起难度很 ⅡT生产线，采用高世代的大尺寸玻璃基板进行生 高，而对位不准又会影响像素转移的质量。 产，制造成本低 ； c—SiTF