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2017-08-12 发布于江苏
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微电子技术概论余隽，Tel:junyu@dlut.edu.cn 第二章微电子器件物理基础 • 2.1 半导体及其基本特性 • 2.2 能带以及半导体中的载流子 • 2.3 半导体的电导率和载流子输运 • 2.4 pn结和晶体二极管 • 2.5 双极型晶体管 • 2.6 MOS场效应晶体管 • 2.7 大规模集成电路基础 1 微电子技术概论余隽，Tel:junyu@dlut.edu.cn 导电特性 L = 1 m e V=1V 原子核 E T = 300 K E = VL 7 自由电子热运动平均速度 10 cm/s −12 τ ≈10 s 电子平均自由运动时间（弛豫时间） n qτn 平均漂移速度 vn E μ E * n m n −19 −12 1.6×10 ×10 0.16 m/s 16 cm/s −30 10 2 微电子技术概论余隽，Tel:junyu@dlut.edu.cn L A e I V v E n qτn 平均漂移速度 vn E μ E * n m n qτn 单位电场作用下载流电子的迁移率 μn *