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物理化学学报(WuliHuaxueXuebao) : 1577 October ActaPhys.-Chim.Sin.,2007,23(10)1577-1582 [Article] 电极距离对4,4′-联苯二硫酚分子器件非弹性电子隧穿谱的影响 邹 斌 李宗良 宋秀能 刘兰峰 王传奎* 山东师范大学物理与电子科学学院 济南 ( , 250014) 摘要: 基于杂化密度泛函理论和格林函数方法 计算了 联苯二硫酚分子器件的非弹性电子隧穿谱 并研究 , 4,4′- , 了电极距离对该非弹性电子隧穿谱的影响 计算结果表明 非弹性电子隧穿谱随电极距离的改变呈明显不同的 . , 特征 从而表明了分子的非弹性电子隧穿谱技术能够灵敏地反映出分子器件的微观结构 研究结果显示 垂直于 , . , 电极表面的振动模式对非弹性电子隧穿谱具有较大的贡献. 关键词: 非弹性电子隧穿谱 电极距离 分子电子学 ; ; 中图分类号: O641; O494 TunnelingSpectraof4,4′ ZOUBin LIZong-Liang SONGXiu-Neng * LIULan-Feng WANGChuan-Kui : Abstract ′ surfacegaveagreatcontributiontotheIETS. : KeyWords 众所周知 在低外加偏压时 分子结的导电机制 要用光学方法才能研究的内容 并且特别适合研究 , , , [1,2] 取决于电子的隧穿过程 .当考虑电子与分子振动 吸附于衬底表面上的有机分子,因此引起人们的注 [3] 耦合时 电子的隧穿过程是非弹性散射过程 由于 意并迅速发展起来 扫描隧道显微镜 技术特 , . . (STM) 非弹性电子隧穿谱 与分子的振动模式有关 因 别是低温 技术的发展和日益成熟 为单分子科 (IETS) , STM , [5,6] [7] 此通过测量分子器件的 可以确定分子器件的 学和 的结合研究提供了机遇 等 利用 IETS, STM .Stipe 微观结构 高能量分辨率的低温 得到了吸附于 .