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一种二阶曲率补偿带隙的研究.pdf
第 28 卷 第 3 期 电 子 器 件 V ol.28 N o.3
2005 年 9 月 Chinese JournalofElectron Devices Sep. 2005
-
Second Order Curvature Compensation Bandgap Reference
- , - , -
WU Guo ping HUANG Nian ya LIU Gui zhi
(Shanghai Natlinear electronics corporation,Shanghai 200122,China)
Abstract :a first-order curvature com pensation bandgap voltage reference has a tem perature coefficient
above 30×10- 6 /℃. ’ - . -
Itcouldn t achieve the requirem ent ofsom e high precision system So high ordercur-
vature com pensation technique is been added to first-orderbandgap circuit.W hen a M O SFET is w orking at
- ,
sub threshold area in standard CM O S process its drain currentcan be expressed w ith exponentialrelation-
ship.So w e can im pose this exponentialrelationship to cancelthe second-orderitem ofthe Vbe (T),A lso the
0.6 .
sim ulation resultthatem ploys CSM C μm tw o m etaltw o poly CM O S process is given T he outputvolt-
age is about1.234V ,and the tem perature coefficientofthis bandgap is about 10ppm /C betw een - 50℃ to
120℃。
Keywords :bandgap reference,curvature com pensation,sub threshold
EEACC:2570D
一种二阶曲率补偿带隙基准的研究
吴国平,黄年亚,刘桂芝
(上海南麟电子有限公司,上海 200122)
摘 要:介绍了一种带隙基准曲率的二阶补偿技术,并给出了一款带二阶曲率补偿的基准电路。它利用了 M OS 管的亚阈区
特性来抵消电路中 ( )展开式的二阶项。该电路采用了0.6 2 /2 工艺模型进行了仿真,给出了补偿前
Vbe T μm M etal Poly C M O S
后的仿真结果,在- 50~120℃范围内温度系数大约为10×10- 6 /℃。
关键词:带隙基准;曲率补偿;亚阈区
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