Na2SiO3-Na2WO4电解液体系中丙三醇对ZAlSi12Cu2Mg1微氧化膜形成的影响.pdfVIP

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助 能 财 扦 2007年增刊(38)卷 膜形成的影响木 刘彩文,刘向东,韩春霞,张雅萍,张静,刘晓丽 (内蒙古工业大学材料科学与工程学院,内蒙古呼和浩特010051) NaOH 摘要: 电解液组成是影响微弧氧化陶瓷膜形成重要 29/L,Na2E阴IA29/L,采用去离子水配制。电解 槽外壁通以循环水冷却,内部吹入空气搅拌。氧化电压 的因素.在Na2si03.Najw04复合电解液体系下,对 z舢sil2Cu2Mgl微弧氧化陶瓷膜的形成进行研究,通 过改变丙三醇的含量,研究了其对微孤氧化的临界起弧 流随反应的进行由系统自动调节。丙三醇含量分别取0、 电压、稳定氧化时间和陶瓷膜层厚度的影响.并测定了 Adv锄cgo 陶瓷膜的相组成.结果表明:丙三醇含量从Om儿到 S04和S05。采用D8 GcIml锄Ⅺ①分析仪分析 10I讪IL变化时,临界起弧正向电压由360V逐渐升高至 陶瓷膜层相组成,Hl。C一25型电涡流测厚仪测量膜层厚度。 408V;膜层厚度从63pm逐渐增加到156岫1;稳定氧化 3结果及分析 时间由16IIlin延长到26IIlin;Ⅺ①分析表明:陶瓷膜 层中主要由莫来石、si02和n-越203和丫-灿203相组成. 3.1丙三醇含量对微弧氧化临界起弧电压的影响 关键词: 丙三醇;2棚Sil2Cu2Mgl:微弧氧化;陶瓷膜在微弧氧化过程中,当电极间电压超过某一临界值 中图分类号: TGl74.4 文献标识码:A 时,材料边角出现大量的不稳定的白色弧光,这是由于 氧化膜某些部分被击穿,发生了微区弧光放电现象,正 文章编号: 1001.9731(2007)增刊.4084一03 向电压即为临界起弧电压值。试样S0l最先起弧,随着 1 引 言 示为电解液中丙三醇含量变化时的微弧氧化临界起弧 铝的微弧氧化是在常.规阳极氧化、成膜的基础上, 电压。从图1中可以看出丙三醇含量由Oml/L增加 通过高电压大电流的作用,产生微区局部高温,利用高 10m1/L时,临界起弧电压有升高的趋势。 温烧结作用,使初始生成的无定形铝常规氧化膜发生相 转化生成u.A1203相的陶瓷氧化物膜【卜41。在 ZmSil2Cu2Mgl材料表面通过微弧氧化形成一定厚度、 硬度且均匀致密的陶瓷氧化膜,可大幅度延长其使用寿 命,拓展其应用领域【5】。电解液中丙三醇的加入可使微 弧氧化稳定进行,但丙三醇含量的变化对微弧氧化陶瓷 膜层形成的影响报道得很少。本文在Na2Si03一Na2W04 电解液体系下通过改变丙三醇的含量研究其对微弧氧 化的临界起弧电压、稳定氧化时间和陶瓷膜层厚度,并 测定了陶瓷膜的相组成。 图1 丙三醇的含量对正向起弧电压的影响 1雕ectofcontentof onarc Vonage 2实验 Fig glycefinsta]ning 3.2 Na2si03的含量对微弧氧化稳定氧化时间的影响 2.1实验材料

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