808nm大功率量子阱激光器无吸收腔面镀膜地研究.pdfVIP

—塑互—————————————————一一釜查星垒堡里生莲蕉堂查垒丛熊圭叁 808nm大功率量子阱激光器 无吸收腔面镀膜的研究 李秉臣彭晔廖显伯 (中科院半导体所 100083) 率材料组合的si—A上2侥膜系．在实验研究中，我们发现si～Alt毡膜系作为高反膜， 在808nm波长附近si膜仍有较强吸收，腔面镀高反膜(HR)后，激光器光电性能变坏。 因此为了解决这个问题，开展了比气氛电子束反应蒸发si膜的实验研究工作。 PU^[P抽 本项研究工作使用BALZERS公司生产的8AK600箱式光学镀膜系统。CRYO 真空，既保持了真空室的清洁度，又能较快的使真空度达到1～2×lO。mbar的水平。 样品制各之一是si膜的电子束蒸发，在加温到250℃的条件下，真空度I×10“ 左右。 式 肛爿丽蔚点篇等靠 T： 透射率： A：考虑衬底影响的因素的系数； Rij：组成界面ij的正入射反射率， 如图1所示。 气n1 厚度、折射率和吸收系数。利用此式，可 ● 以用计算机程序计算出a-Si或a．si：H的 层n2 光学系数的实部II(E)、虚部k(E)和吸收 系数n(E)=4Ⅱk／x，再根据间接带隙 嚆n3 材料在带边附近a与hv的关系式，即 图l Tauc公式 (n由v)1，2=占(由V—层a…．．．(2) h 将(Q 的光学带隙＆。 —j量羔堡垒堕里生整基生奎金垫垒皇墨 呈!墨 功率量子阱激光器腔面镀膜上，并作了腔面未镀膜，只镀高反膜(HR)和高反膜+增透膜 系，当只有一个腔面镀高反膜时，其结果是I。。降低，E．增加，Ep增加。当两个腔面分 1．00(WIA)，b从20．9％增加到40．00％，其绝对值增加近一倍左右。 (2)a-Si和a-Si：H的吸收系数与波长之间的关系 我们认为这两个膜系主要的差别在高折射率a-Si和a—Si：H膜上，我们分别测量这两种 膜的透射能谱曲线，然后用计算机程序计算并作出Tauc图，如图2所示。从图2可以 波长附近，吸收系数为2～3×103(∞-1)。a-Si：H膜与a-Si膜相比较有较明显的 兰移，在808na波长附近，吸收系数降到可以忽略的程度，成为真正的无吸收高折射率 材料，并与薄膜的厚度无关． 左右。从上面的结果我们可以解释吸收曲线兰移(向短波长方向移动)的原因是由于 而这一结果正是我们所希望的。另外从图3中我们可以看到a-Si膜能谱曲线上有一个 小丘，说明薄膜有缺陷。而a—si：H膜能谱曲线比较平滑，说明加入№后反应蒸发形 成的a-Si：H膜缺陷减少，薄膜质量变好。 图2．a-Si和a-Si：H吸收系数与波长的 关系 曲线 808nm大功率量子阱激光器无吸收腔面镀膜 的研究 作者： 李秉臣， 彭晔 作者单位： 院半导体所 本文读者也读过(9条) 1. 赵润.郭芳.杨红伟.花吉珍.ZHAO Run.GUO Fang.YANG Hong-wei.HUA Ji- zhen 大功率半导体激光器腔面的光学结构优化[期刊论文]-半导体技术 2006,31(6) 2. 唐婷婷.王锐.刘刚明.廖柯.TANG Ting-ting.WANG Rui.LIU Gang-ming. LIAO Ke 808nm激光器端面镀膜技术[期刊论文]-半导体光电2006,27(2) 3. 花吉珍.齐志华.杨红伟.杜伟华.陈国鹰.Hua Jizhen.Q