晶格缺陷催化剂.docVIP

晶体产生缺陷的原因很多，化学计量不配比是主要一个因素，掺杂是一个来源，杂志离子的半径（电荷）与主晶体晶格不匹配是重要原因，可以比较Mn，Fe离子半径。 锰掺杂的主要原因是属于晶体点缺陷中的间隙掺杂，具体参照材料化学与物理书。 理论计算和实验测试都支持Mn2+以替代Fe2+的方式掺杂。 缺陷对分开光生载流子起到不可忽视的作用。 一些学者参照掺杂物质对Al2O3相变的影响，基于液相烧结理论，曾提出金属氧化物对TiO2相变的影响主要与物质的熔点有关，熔点低于TiO2的物质对相变有促进作用，并且熔点越低促进作用越明显，反之，则起抑制作用。 表2相变温度的影响程度和对影响机理的解释： 前体不同相变温度也不同。 Eg，在溶胶-凝胶制备TiO2的过程中，通过添加乙酸使相变温度降低月 热处理对缺陷密度和羟基含量的影响： 在通常的溶胶一凝胶制备过程中，，，，，，，，， 早期的研究认为，，，，Heller等人认为，TiO2的Fermi能级，，。Salvador等人则认为，Ti3+-Ti3+Ti4+-Ti4+更容易与羟基自由基键合， 对于表面羟基在光催化反应中的作用，，，OH、02-等活性物种， 但是晶格缺陷和表面羟基对催化剂活性影响有双重作用，它们在俘空穴以及形成氧化活性物种的同时，也可能成为载流子复合的中心，降低反映活性。