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电沉积法制备纳米SnO_2薄膜.pdf
第 2 3卷第 1期 精 细 化 工 Vol. 2 3 , No. 1 2 0 0 6年 1月 F INE CHEM ICAL S Jan. 2 0 0 6 功能材料 电沉积法制备纳米 SnO2 薄膜 1 1, 2 1 1 1 2 熊利芝 ,何则强 ,麻明友 , 肖卓炳 ,吴显明 ,黄可龙 ( 1. 吉首大学 化学化工学院 ,湖南 吉首 4 16000; 2. 中南大学 化学化工学院 ,湖南 长沙 4 10083) 摘要 :采用一种电沉积法室温下制备纳米 SnO2 薄膜 。经研究得到了电沉积 SnO2 薄膜的最佳工艺条件 : 电流密 度 、电沉积时间、主盐浓度 、游离酸浓度分别为 i = 8 mA ·cm - 2 , t = 120 m in, c ( SnCl ) = 002 mol/L , c (HNO ) = 2 3 003 mo l/L 。用 X射线衍射 、红外光谱和扫描电镜 、透射电镜等对薄膜的物相和微观结构 、表面形貌等进行了研 究 。结果表明 ,室温下干燥得到的薄膜由 SnO ·xH O 组成 ,但经过 400 ℃热处理后 ,逐渐转变成结晶较为完整 2 2 的四方结构 SnO2 薄膜 ,薄膜的表面较为平整 、呈多孔状 ,薄膜粒径大小为 8~20 nm 。 关键词 : SnO ;薄膜 ; 电沉积 ;微观结构 2 中图分类号 : O481. 4; TN 304. 2 1 文献标识码 : A 文章编号 : 1003 - 52 14 (2006) 01 - 0020 - 05 Prepara tion of NanoSnO2 Th in F ilm by E lectrodeposition 1 1, 2 1 1 1 2 X ION G L izh i , HE Zeqiang ,MA M ingyou , X IAO Zhuob ing ,WU X ianm ing , HUAN G Kelong ( 1. Colleg e of Chem istry and Chem ica l E ng ineerin
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