化学机械抛光技术简介与应用.pdfVIP

056001 TN16 B 1009-4067(2010)06-256-02 巴婴珂 化学机械抛光技术简介及应用 作者： 郭世璋， 王庆林， 曲捷 作者单位： 邯郸职业技术学院,056001 刊名： 中国电子商务 英文刊名： DISCOVERING VALUE 年，卷(期)： 2010，(6) 被引用次数： 0次 参考文献(12条) 1.王相田.化学机械抛光技术[J].上海化工.1999,第19期24卷:1-7 2.董志义.化学机械抛光技术现状和发展趋势[J].Equipment fof Electronic Products Manufacturing.2004,总第113期:1-6. 3.苏建修,康仁科,郭东明.超大规模集成电路制造中硅片化学机械抛光技术分析[J].semi conductor technology.Volume 30,No.8:20- 24. 4.马磊.水晶的喷射抛光研究. 5.狄卫国,刘玉岭,司田华.ULSI硅衬底的化学机械抛光技术[J].Semi-conductor Technology,2002,第27卷第7期:18-22. 6.Basim G B,A dler J J,M aha Jan U,et al.Effect of particle size of chemical mechanical polishing slurries for enhanced polishing with minimal defects[J].Elecrochem Soc,2000,147(9) 7.狄卫国,刘玉岭,司田华.ULSI硅衬底的化学机械抛光技术[J].Semi conductor Technology,2002,第27卷第7期:18-22. 8.刘玉玲.化学机械抛光作用与单晶基片超光滑表面的获取[J].JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS.2004.volume 30 No.6:1031-1034. 9.Lu H,Obeng Y,et al.ApplicabilitY of dynamic mechanical analysis forCMP Polyurethane Pad studies[J].Materials Characterization,2003,49:177-186. 10.杜宏伟.光电子材料钽酸锂晶片化学机械抛光过程研究[D].广东工业大学硕士学位论文,2004 11.Choi J.Evaluation of the effect of pad thickness and stiffness on pressurenon-uniformity at die-scale in ILD CMP.http:/www.repositories edlib.Org/lmaPpmgPjihong21203. 12.Kim Ho,Kim Hy,Jeong H,et al.Self2conditioning abrasive pad in chemical mechanical polishing Processing Technology,2003,142:614～618. 相似文献(10条) 1.期刊论文 储向峰.白林山.李玉琢.Chu Xiangfeng.Bai Linshan.Li Yuzhuo ULSI制造中Cu的电化学机械抛光 -微纳电子技术 2009,46(2) 电化学机械抛光(ECMP)技术可以在低压力下进行,有可能替代化学机械抛光(CMP)技术,满足含易碎、低介电常数材料的小尺寸特征结构的ULSI中Cu的抛光要求.利用自制的抛光液 和改装的抛光机对晶圆片和图案晶圆片上的Cu进行电化学机械抛光,研究了抛光电压、抛光台转速、抛光压力和抛光液流量对抛光速率的影响,发现在抛光电压为4.7 V、流量为 150～200 mL/min、抛光台转速为30～40 r/min、抛光压力为3.45 kPa时能达到较好的抛光速率.考察了抛光电压对图案晶圆片上台阶高度减小效率的影响,发现台阶高度减小效率随 抛光电压增大而减小,并且对抛光机理做了初步分析. 2.期刊论文 谭刚.Tan Gang 纳米CeO2抛