嵌入式系统技术与设计 第2版 教学课件 作者 华清远见教育集团 刘洪涛 苗德行 第5章 ARM应用系统设计.pptVIP

ARM嵌入式体系结构与接口技术第7章 ARM异常中断处理及编程 5.1 SoC系统概述 5.2 S3C2410概述 5.3 S3C2410系统功能电路设计 5.4 小结 5.5 思考题 从狭义角度讲,它是信息系统核心的芯片集成,是将系统关键部件集成在一块芯片上;从广义角度讲, SoC是一个微小型系统,如果说中央处理器(CPU)是大脑,那么SoC就是包括大脑、心脏、眼睛和手的系统。 嵌入式处理器是系统的核心，常用的处理器 ARM based 单发射标量RISC处理器 S3c24xx Ep93xx MIPS based 单发射或多发射RISC处理器 NEC VR5xxxx ATI XILLEON Powerpc based单发射或多发射RISC处理器 Mpc82xx/85xx Mpc52xx DSP 处理理器 TI C6xxx 中央处理器 CPU: Samsung S3C2410A，主频203MHz； 外部存储器 SDRAM：64MB； NOR Flash：2M 字节 NAND Flash：64MB I2C接口的 EEPROM AT24C02：256*8 两个五线异步串行口，波特率高达115200bps； 网络接口 一个10M 网口，采用CS8900Q3，带联接和传输指示灯； USB 接口 一个USB1.1 HOST 接口； 一个USB1.1 Device 接口； 红外通讯口 一个IRDA 红外线数据通讯口 音频接口 采用IIS 接口芯片UDA1341 存储接口 一个SD 卡接口 LCD 和触摸屏接口 其它 十六个小按键 四个高亮LED 一个可调电阻接到ADC 引脚上用来验证模数转换 时钟电路用于向CPU及其他电路提供工作时钟。根据S3C2410的工作频率及PLL电路的工作方式，选择12MHz的无源晶振，与S3C2410内部的PLL电路倍频后最高可以达到207MHz。 S3C2410集成了实时时钟控制器，需要外部提供32.768kHz的实时时钟信号 复位电路主要为了提供性能优越的电源监视性能 JTAG（Joint Test Action Group，联合测试行动小组）是一种国际标准测试协议，主要用于芯片内部测试及对系统进行仿真、调试，JTAG技术是一种嵌入式调试技术，它在芯片内部封装了专门的测试电路TAP（Test Access Port，测试访问口），通过专用的JTAG测试工具对内部节点进行测试。 通过JTAG接口，可对芯片内部的所有部件进行访问，因而是开发调试嵌入式系统的一种简洁高效的手段。目前JTAG接口的连接有两种标准，即14针接口和20针接口。本系统采用的是20针JTAG接口定义。 Falsh器件的主要特点是在不加电的情况下能长期保持存储的信息。Flash Memory属于EEPROM(电擦除可编程只读存储器)类型。它既有ROM的特点，又有很高的存取速度，而且易于擦除和重写，功耗很小。 Flash主要有两种类型：“或非NOR”和“与非NAND” Intel于1988年首先开发出NOR Flash技术 东芝公司1989年发表了NAND Flash结构 Nand Flash与Nor Flash对比： 1、接口对比 NOR Flash带有通用的SRAM接口，可以轻松地挂接在CPU的地址、数据总线上，对CPU的接口要求低。NOR Flash的特点是芯片内执行(XIP,eXecute In Place)，这样应用程序可以直接在Flash闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中。NAND Flash器件使用复杂的I/O口来串行地存取数据，8个引脚用来传送控制、地址和数据信息。 2、容量和成本对比相比起NAND Flash来说，NOR Flash的容量要小，一般在1~32MByte左右 3、可靠性性对比NAND器件中的坏块是随机分布的，而坏块问题在NOR Flash上是不存在的 4、寿命对比NAND闪存中每个块的最大擦写次数是一百万次，而NOR的擦写次数是十万次 5、升级对比NOR Flash的升级较为麻烦，因为不同容量的NOR Flash的地址线需求不一样不同容量的NAND Flash的接口是固定的，所以升级简单 6、读写性能对比擦除NOR器件时是以64～128KB的块进行的，执行一个写入/擦除操作的时间约为为5s。擦除NAND器件是以8～32KB的块进行的,执行相同的操作最多只需要4ms。NOR的读速度比NAND稍快一些。 1 .SDRAM介绍 SDRAM存储一个位的消息只需要一只晶体管，但是需要周期性地充电，才能使保存的信息不消失。 SDRAM的一个存储位单元结构如图 电容器的状态决定了这个