模拟电子技术及应用 教学课件 作者 杨燕 等 模拟电子技术习题解析.docVIP

《模拟电子技术》典型解析 二极管应用习题解析 例1-1 能否将1.5V的干电池以正向接法接到二极管两端？为什么？ 解：不能。因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系，当端电压为1.5V时，管子会因电流过大而烧坏。 例1-2 如何用万用表的“欧姆”档来判别一只二极管的正、负极？分析：指针万用表的黑笔内接直流电源的正端，而红笔接负端。利用二极管的单向导电性，其正向导通电阻一般在几百欧～几千欧，而反向偏置电阻一般在几百千欧以上。 　　测量时，利用万用表的“R×100”和“R×1”档，若两个数值比值在100以上，认为二极管正常，否则认为二极管的单向导电性已损坏。 例1-3 电路如图所示，已知ui＝10sinωt，试画出ui与uO的波形。设二极管正向导通电压可忽略不计。 例1-3电路 解：ui和uo的波形如E-1b所示。 例1-4 现有两只稳压管，它们的稳定电压分别为6V和8V，正向导通电压为0.7V。试问： （1）若将它们串联相接，则可得到几种稳压值？各为多少？ （2）若将它们并联相接，则又可得到几种稳压值？各为多少？ 解：（1）两只稳压管串联时可得1.4V、6.7V、8.7V和14V等四种稳压值。 （2）两只稳压管并联时可得0.7V和6V等两种稳压值。 晶体管应用习题解析 例2-1 有两只晶体管，一只的β＝200，ICEO＝200μA；另一只的β＝100，ICEO＝10μA，其他参数大致相同。你认为应选用哪只管子？为什么？ 解：选用β＝100、ICBO＝10μA的管子，因其β适中、ICEO较小，因而温度稳定性较另一只管子好。 例2-2 已知两只晶体管的电流放大系数β分别为50和100，现测得放大电路中这两只管子两个电极的电流如图所示。分别求另一电极的电流，标出其实际方向，并在圆圈中画出管子。 b）例2-2解图 图解：答案如所示。 例2-3 半导体晶体管为什么可以作为放大器件来使用，放大的原理是什么？试画出固定偏流式共发射极放大电路的电路图，并分析放大过程。 答：放大的原理是利用小信号对大信号的控制作用，利用ｖBE的微小变化可以导致ｉC的大变化。固定偏流式共发射极放大电路的放大过程，参阅相关内容。 例2-4 测得放大电路中六只晶体管的直流电位如图所示。在圆圈中画出管子，并分别说明它们是硅管还是锗管。 例2-4图 解：晶体管三个极分别为上、中、下管脚，答案表。 表例2-4解 管号 T1 T2 T3 T4 T5 T6 上 e c e b c b 中 b b b e e e 下 c e c c b c 管型 PNP NPN NPN PNP PNP NPN 材料 Si Si Si Ge Ge Ge 例2-5．在电路中，若选用3DG6D型号的晶体管（1）电源电压CC最大不得超过多少伏？ （2）根据IC≤I CM的要求，Rc电阻最小不得小于多少千欧姆？ 例2-图 查表，3DG6D参数是Icm=20mA，Uceo=30V,Pcm=100mW（1）Ucc2/3Uceo=20V(2) Icm=(Ucc-uce)/Rc≈Ucc/Rc，Uce最低一般为0.5V，又icIcm, Ucc /Rc Icm 所以Rc Ucc/Icm = 1kΩ E．3 场效应管应用习题解析 例3-1为MOSFET的转移特性曲线，请分别说明它们各属于哪种类型的FET？如果是增强型，其开启电压是多少？如果是耗尽型，其夹断电压是多少？（图中iD的假定正向为流进漏极） 图E-6 例3-1图 答：（a）N沟道耗尽型MOSFET，其夹断电压为（b）P沟道耗尽型MOSFET，其夹断电压为（c）P沟道增强型MOSFET，其开启电压为例3-2 已知放大电路中一只N沟道场效应管三个极①、②、③的电位分别为4V、8V、12V，管子工作在恒流区。试判断它可能是哪种管子（结型管、MOS管、增强型、耗尽型），并说明 ①、②、③与G、S、D的对应关系。 解：管子可能是增强型管、耗尽型管和结型管，三个极①、②、③与G、S、D的对应关系如图所示。 解图 例3-2 解图 直流稳压电源习题解析 例4-1 倍压整流电路如图，简述其工作原理，当RL＝∞时，输出电压Vo为多少？解：输入信号正半周Ｄ1导通，Ｄ2截止，Ｖ2（+）→Ｄ1→Ｃ1→Ｖ2（-）对电容Ｃ1充电。因为时间常数很小，所以Ｖc1＝1.414Ｖ2。输入信号负半周Ｄ2导通，Ｄ1截止，Ｖ2（-）→Ｃ2→Ｄ2→Ｖ2（+）对电容Ｃ2充电，Ｖc2＝1.414Ｖ2 当Rl＝∞时，Ｖo＝Ｖc1＋Ｖc2＝2.828Ｖ2 例4-2 图所示是一个输出6V正电压的稳压电路，试指出图中有哪些错误，并在图上加以改正。  解：错误一：Dz极性接反错误二：C