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模拟电子技术节后思考与练习解答 1.1 思考与练习 1、半导体具有哪些独特性能?在导电机理上,半导体与金属导体有何区别? 2、本征半导体产生电子—空穴对的现象称为本征激发空穴空穴N型半导体P型半导体管压降基本不变,0.6~0.8V,锗管约为0.2~0.3V2、普通二极管进入反向击穿区后是否一定会被烧损?为什么? 答:普通二极管工作在反向击穿区时,反向电流都很大,如不加设限流设置,极易造成“热击穿”而造成永久损坏。 3、为什么把反向截止区的电流又称为反向饱和电流? 答:反向截止区内通过二极管的反向电流是半导体内部少数载流子的漂移运动形成的。只要二极管的工作环境温度不变,少数载流子的数量就会保持恒定,因此反向截止区的电流又被称为反向饱和电流。反向饱和电流的数值很小,在工程实际中通常近似视为零值。 4、试判断图1.23所示电路中二极管各处于什么工作状态?设各二极管的导通电压为0.7V,求输出电压UAO。 答:图中二极管VD1处于正向导通状态,二极管VD2处于反向截止状态,输出电压UAO=-0.7V。 5、把一个1.5V的干电池直接正向联接到二极管的两端,会出现什么问题?.5V干电池串一个约1k(的电阻,并使二极管按正向接法与电阻相连接,使二极管正向导通。然后用万用表的直流电压档测量二极管两端的管压降UD,如果测到的UD为0.6~0.7V则为硅管,如果测到的UD为0.1~0.3V就是锗管。如果测量时直接把1.5V的干电池正向到二极管的两端,使中电流过大而损坏6、理想二极管电路如图所示。已知输入电压ui=10sinωtV,试画出输出电压u的波形。-5V5V,波形如下图所示: 1.3 思考与练习 1、双极型三极管的发射极和集电极是否可以互换使用?为什么? 管在输出特性曲线的饱和区工作时,其电流放大系数是否也等于β? 使用管时,只要集电极电流超过ICM值;耗散功率超过PCM值;集—射极电压超过U(BR)CEO值,管就必然损坏。上述说法对? 用万用表测量某些三极管的管压降得到下列几组数据,说明每个管子是NPN型还是PNP型?是硅管还是锗管?它们各工作在什么区域? UBE=0.7V,UCE=0.3V; UBE=0.7V,UCE=4V; UBE=0V,UCE=4V; UBE=-0.2V,UCE=-0.3V; UBE=0V,UCE=-4V。 NPN硅管,饱和区;②NPN硅管,放大区;③NPN硅管,截止区;④PNP锗管,放大区;⑤PNP锗管,截止区。 5、1、双极型三极管和单极型三极管的导电机理有什么不同?为什么称管为电流控制型器件MOS管为电压控制型器件? IC受基极电流IBMOS管的输出电流ID受栅源间电压UGS当UGS为何值时,增强型沟道MOS管导通?UGD等于何值时,漏极电流表现出恒流特性? 答:当UGS=UT时,增强型N沟道MOS管开始导通,随着UGS的增加,沟道加宽,ID增大。UGD=UGSUDSUT时,漏极电流ID几乎不变,表现出恒流特性。 3、双极型三极管和MOS管的输入电阻有何不同?的输入电阻rbe一般在几百欧~千欧左右,相对较;而MOS管绝缘层的输入电阻极高,认为栅极电流为零。MOS管在使用时,什么? 由于二氧化硅层的原因,使MOS管具有很高的输入电阻。外界电压影响,栅极易产生相当高的感应电压,造成管子击穿,所以MOS管在不使用时应避免栅极悬空,务必将各电极短接。1、√ ) (3)晶闸管导通时,其阳极电流的大小由控制极电流决定。( √ ) (4)只要阳极电流小于维持电流,晶闸管就从导通转为阻断。( × ) (只有在门控极电流为零时,阳极电流小于维持电流时,晶闸管才会从导通转为阻断。) 2、 答:当正向阳极电压超过临界极限即正向转折电压UBO时,漏电流会急剧增大,晶闸管便由阻断状态转变导通状态,这种开通不属于正常导通,称为“硬开通”。 3、“硬开通”?晶闸管正常工作时允许“硬开通”吗?为什么? 答:晶闸管的正向阳极电压超过临界极限即正向转折电压UBO时,晶闸管出现“硬开通”,硬开通时晶闸管的管压降只有1V左右,但是通过晶闸管的电流却很大,显然,晶闸管正常工作时一般是不允许硬开通。 4、1、 答:实践证明,放大电路即使有了合适静态工作点,在外部因素的影响下,例如温度变化、电源电压的波动等,引起静态工作点的偏移,因素中,温度变化是影响静点稳定的最主要因素 2、图2.19所示各电路,分析其中哪些具有放大交流信号的能力?为什么? 答:图(a)没有放大交流信号的能力。因为,基极电位VB=UCC,静态工作点太高;图(b)电路中,由于集电极电阻RC=0,所以无法实现电压放大;图(c)分压式偏置共射放大电路缺少负反馈环节,且电容极性反了,因此易产生失真,不能正常放大;图(d)电路中核心元件三极管应选择NPN硅管,但用成PNP管,因此不具有交流信
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