陶瓷先驱体聚硅氮烷连接Cf-SiC工艺及连接性能.pdfVIP

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2017-08-21 发布于北京
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陶瓷先驱体聚硅氮烷连接Cf-SiC工艺及连接性能.pdf

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第18卷第2期中国有色金属学报 2008年2月 V01．18No．2 TheChineseJournalofNonferrousMetals Feb．2008 文章编号：1004—0609(2008)02—0278—04 陶瓷先驱体聚硅氮烷连接Cf／SiC工艺及连接性能刘洪丽，田春英，吴明忠 (佳木斯大学材料科学与工程学院，佳木斯154007) 摘要：采用陶瓷先驱体转化法连接G／SiC复合材料。针对C／SiC复合材料的不同连接界面特性，采用不同的连接配方和工艺。结果表明：对于第一类以SiC相为主的连接界面，采用单一的聚硅氮烷即可实现C／SiC复合材料的连接，当连接温度为1300℃，经两次浸渍／裂解增强处理的连接件接头抗剪强度达最大值29．6MEn；连接层厚度为2～3岫，其结构较为均匀致密，由无定型SiNC陶瓷组成；对于第二类以c纤维端面为主的连接界面，采用 150℃，经两次浸渍／裂解增强处理的连接件聚硅氮烷并加入活性填料纳米A1粉来实现其连接；当连接温度为1 抗剪强度达最大值22．5MEn；连接层厚度约为30“m，连接层中含有SiC、Si3N4和AIN等相。关键词：C／SiC复合材料；聚硅氮烷；连接；界面特性 146．4 中图分类号：TG 文献标识码：A of of via silicone Cf／SiC Techniquejoining compositepreceramic and joiningproperties polysilazane LIU Hong—li，TIANChun-ying，WUMing—zheng ofMaterialsScienceand (School Engineering，JiamusiUniversity，Jiamusi，154007，China) ofcarbonfiberreinforcedSiC itselfWaSrealizedvia silicone Abstract：Joining composite(C／SIC)to preceramic aluminium materials．Thedifferent WaSusedforthe technology polysilazane(PSZ)withnanopowders觞joining joining differentinterfacesof resultsshowthat was bY forthefirst joining c／sic．The C／SiC joinedusingsinglepolysilazane maximum ofthe is29．6MPa．Thisvalueis kind interface SiC．The ofjoining