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金属氧化物半导体纳米气敏材料研究进展 张学忠 (重庆师范大学物理与电子工程学院，重庆400047) 摘要：由于社会需求紧迫，金属氧化物半导体纳米气敏材料成为当今研究的热点。本文综述了从材料元素的组成、形 貌及尺寸的控制以及制备方法等方面来提高金属氧化物半导体纳米材料气敏性能的研究进展。 关键词：氧化物半导体；气敏材料；进展 671-6396．201 1．52．003 DOI-1O．3969／j．issn．1 TheResearch ofNano．metalOxideSemiconductorGasSendfiveMaterials Progress ZHANG Xue．zhong of andElectronic Normal (Institute University，Chongqing400047) Physics Engineering，Chongqing Abstract：Asthemassiveneedsthe oxidesemiconductormaterialsbecometheresearch by society，nano．metal gassensing oxide sensitivematerialswhichwas reviewedthe ofnano．metalsemiconductor hotspot．Thispaper gassensitivity gas theelementsinthematerial andsize methods． control，and improvedby composition，morphologypreparation words：0xide sensitive Key Semiconductor；Gasmaterials；Progress 由金属氧化物半导体材料做成的气敏传感器可用于多个 丙酮气体。此外，研究者们还发现具有特定结构的多元复 领域，包括农业、工业、医药、汽车、矿山、气体排放＼泄 合金属氧化物有着良好的气敏性能。BodadeⅢ等人用溶胶凝 漏、火灾等，并且其社会需求紧迫。这类材料的气敏性机 胶法制备的钙钛矿结构的Lao6coo。^hlo5Ni。0。多元复合金属氧 理是基于待测气体的吸附和紧随着的表面氧化还原反应所 化物，在对lOOppm的也s气体的响应时间仅为5s。 引起的电阻变化Ⅲ。比表面积相对大些的材料更能凸显它的 对金属氧化物半导体纳米材料进行贵金属或金属氧化 表面特性，所以气敏材料的尺寸一般要做到纳米级别。作 物的掺杂是开发和研究新型气敏材料的重要方法；扩展气 为金属氧化物半导体纳米气敏材料在影响其气敏性能方面 敏材料体系，寻找多元金属氧化物半导体气敏材料也是当 主要包括：材料元素的组成、材料的形貌与尺寸、材料的 前研究的热点。 制备方法等因素。 2 材料的形貌和尺寸 l 材料元素的组成 同种材料由于不同的形貌和尺寸而表现出迥异的气敏 作为研究历史较长的气敏材料如：SnO：、ZnO、WO。、 Fe203等都是单种金属氧化物。Kim01等人用静电纺织的方法