系列Co-M(M=Cd,Zn,Co)配位聚合物的合成、结构及光电性能.pdfVIP

V01．3l 高等学校化学学报 No．2 CHEMICAL 2010年2月 JOURNALOFCHINESEUNIVERSITIES 221—226 合成、结构及光电性能 孟秦，金晶，刘佳操，牛淑云 (辽宁师范大学化学化工学院，大连116029) 物都是由丙二酸构筑并具有2D层状结构，通过氢键进一步将2D层网联成3D无限网络结构．通过表面光电 压谱(SPS)对3个配聚物的表面光电性能进行了重点研究，并与其相应的uV．Vis吸收光谱进行了对比．结 果表明，这3个配聚物在300—600胁范围内均表现出正的光伏响应，而且SIS和uV-Vis光谱之间具有较 好的对应关系． 关键词co—M配聚物；晶体结构；表面光电压 中图分类号0614．81+2文献标识码A 文章编号0251-0790(2010)02--0221-．06 含有过渡金属的杂核配位聚合物不仅具有新颖的拓扑结构，而且在催化、磁性和非线性光学材料 等领域都具有潜在应用价值¨qJ，因此设计合成新型过渡金属杂核配聚物一直是研究热点【4卅．关于 含Co(Ⅱ)离子的杂核配聚物，报道较多的是Co(Ⅱ)与稀土金属’8o以及Co(II)与碱金属或碱土金属 形成的配聚物一’10|，而关于co与其它过渡金属的杂核配聚物的报道很少¨卜”J．合成过渡金属杂核配 聚物，选择合适的配体是很重要的，丙二酸(H：real)是一种理想的配体，因为其含有的羧基可以多种 结构¨4，l引．对于丙二酸形成的配聚物性质的研究主要集中在磁性及热重方面¨6’1『7|，而关于它们的表面 光电压性质的研究尚未见报道．配聚物的表面光电压性质是光照射下配聚物的电子跃迁及光生电荷分 离和转移引起的配聚物表面电压的变化行为，它与配聚物自身的外层电子变化行为密切相关．而研究 81 配聚物的外层电子变化，对于深入理解配聚物的多种性能及开发其应用有重要的意义【l 9|．表面光电 压谱(Surface photovohage 的电子跃迁有关，而且还直接反映了光生电荷分离和转移性质旧啪J，是研究固体表面和界面电子行 为的灵敏手段之一．近年来，广泛应用于功能材料、有机半导体和催化剂以及太阳能转换的研究中． 对3个配聚物的uV—Vis、IR光谱、元素分析和XRD进行了测定和分析，重点是利用表面光伏技术研 究了它们的表面光电性能，并将其与UV—Vis吸收光谱进行了分析比较． 1 实验部分 1．1试剂与仪器 实验所用试剂均为市售分析纯产品． 采用日本JASCO I强／IR-480型红外光谱仪(KBr压片)在4000—220cm_范围内测定配聚物的红外 光谱；采用日本JASCO V-570型紫外．可见．近红外光谱仪在200—2500nm范围内测定配聚物的漫反射 光谱；元素分析在PE-240C ICP仪上进行；XRD在BrukerAdvance—D8型X射 Analyzer和TLASMA．1I 收稿日期：2009-07．15． 基金项目：国家自然科学基金(批准号和辽宁省教育厅创新团队项目(批准号：2007axm)资助． 联系人简介：金晶，女，副教授，主要从事配位化学研究．E-maa：jinjing_crystal@126．伽 万方数据万方数据 高等学校化学学报 V01．31 线粉末衍射仪上测定；表面光电压谱(SPS)在自组装的表面光电压光谱仪上测定；单晶x射线衍射数 Smart 据在Bruker II型衍射仪上收集． Apex 1．2配聚物的合成 ．r 1．2．1 [CoCd(mal)2(H