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48所扩散过程中问题解决方案 问题 原因 解决方法 扩散不到 1.炉门没关紧，有源被抽风抽走。2.携带气体大氮量太小，不能将源带到管前。 3.管口抽风太大。 1.由设备人员将炉门重新定位，确保石英门和石英管口很好贴合。 2.增大携带气体大氮的流量。 3.将石英门旁边管口抽风减小。 扩散方块电阻偏高/偏低 偏高：1.扩散温度偏低。 2.源量不够，不能足够掺杂。 3.源温较低于设置20度。 4.石英管饱和不够。 1.升高扩散温度，加大源量. 2.延长扩散时间。 3.增加淀积温度。 偏低。 1.扩散温度偏高。 2.源温较高于20度。 1.减小扩散温度。 2.减少扩散时间。 3.减少淀积温度。 扩散片与片间方块电阻不均匀 扩散温度不均匀 重新拉扩散炉管恒温 扩散后单片上方块电阻不均匀 扩散气流不均匀，单片上源沉积不均匀。 1.调整扩散气流量，加匀流板。2.调整扩散片与片之间距离。 扩散后硅片上有色斑 甩干机扩散前硅片没甩干 调整甩干机设备及工艺条件 扩散过程中偏磷酸滴落 长时间扩散后对扩散管定期进行HF浸泡清洗 环境湿度过大 增大除湿机功率 太阳能电池效率忽高忽低 扩散间或石英管被污染，特别是在生产线被改造时最明显。 清洗石英管及石英制品，加强扩散间工艺卫生，强化TCA。 扩散方块电阻正常，但填充因子偏低。 品质因子有问题， n趋向于2，J02偏大，表明结区复合严重。 方法同上 Tempress扩散过程中问题解决方案 问题 原因 解决方法 方块电阻在源一侧低，炉口处高 炉门与炉管的密封性不好 尾部排气严重 假片数量太少 调整炉门密封性 减少尾部排气气流 使用更多的假片 单片（交叉）方块电阻在源一侧低，炉口处高 炉门与炉管的密封性不好 尾部排气严重 假片数量太少 调整炉门密封性 减少尾部排气气流 使用更多的假片 单片（交叉）方块电阻均匀性差 POCl3 不够 排气压力过高 沉积温度过高 增加小N2流量 降低排气压力 降低沉积温度 顶部的方块电阻低，底部的高 舟被污染 校准硅片不是最好的（可能被磨光） 硅片在炉管中的位置太高 桨比硅片和炉管温度低 使用新的干净的舟 使用好的校准硅片，而不是磨光。 使用低脚的舟。 在升温步后插入回温步骤。 边缘处方块电阻低，中心高 假片被污染 校准硅片不是最好的（可能被磨光） 硅片在炉管中的位置太高 桨比硅片和炉管温度低 使用新的假片 使用好的校准硅片，而不是磨光 使用低脚的舟 在升温步后插入稳定温度步骤 方块电阻均匀性不连续 炉管和舟没有饱和 假片被污染 校准硅片不是最好的（可能被磨光） 石英件或硅片脏 沿着扩散炉通风 6. 气流不足 1. 预先处理炉管和舟 2. 使用新的假片 3. 使用好的校准硅片，而不是磨光 4. 清洗炉管、舟、隔热包块和匀流挡板 5. 使用干净的硅片 6. 通过关闭可能的通风孔减小通风或者减小洁净室的过压。 7. 增加N2和干O2流量 整管方块电阻太高 沉积时间过短 沉积温度过低 推进时间太短 推进温度太低 增加沉积时间 增加沉积温度 增加推进温度 增加推进温度 整管方块电阻太低 沉积时间过长 沉积温度过高 推进时间太长 推进温度太高 减少沉积时间 减少沉积温度 减少推进温度 减少推进温度 返工处理 方块电阻不在规定范围内：1.轻微超出范围要求重新扩散，严重超出要求重新制绒。2.低于范围要求从新制绒。 氧化发蓝：去PSG工序，反面扩散。 色斑等由硅片表面问题引起的玷污：去PSG后从新制绒。 偏磷酸：去PSG后，重新制绒。