《模拟电子技术基础》课后答案解析(童诗白,第四版)第1章.pdfVIP

第一章 常用半导体器件 自 测 题 一、判断下列说法是否正确，用 “√”和 “×”表示判断结果填入空内。 （1 ）在 N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为 P 型 半导体。（ ） （2 ）因为 N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（ ） （3 ）PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（ ） （4 ）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。 （ ） （5 ）结型场效应管外加的栅- 源电压应使栅- 源间的耗尽层承受反向电 压，才能保证其 R G S 大的特点。（ ） （6 ）若耗尽型 N 沟道 MO S 管的 UG S 大于零，则其输入电阻会明显变小。 （ ） 解：（1 ）√ （2 ）× （3 ）√ （4 ）× （5 ）√ （6 ）× 二、选择正确答案填入空内。 （1 ）PN 结加正向电压时，空间电荷区将 。 A . 变窄 B . 基本不变 C . 变宽 （2 ）设二极管的端电压为 U ，则二极管的电流方程是 。 A . I S e U B . I eU UT C . I (eU UT －1) S S （3 ）稳压管的稳压区是其工作在 。 A . 正向导通 B .反向截止 C .反向击穿 （4 ）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 。 A . 前者反偏、后者也反偏 B . 前者正偏、后者反偏 C . 前者正偏、后者也正偏 （5 ）UG S ＝0V 时，能够工作在恒流区的场效应管有 。 A . 结型管 B . 增强型 MOS 管 C . 耗尽型 MOS 管 解：（1 ）A （2 ）C （3 ）C （4 ）B （5 ）A C 第一章题解－1 三、写出图T1.3 所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压UD ＝0. 7V 。 图 T1.3 解：UO 1 ≈1.3V ，UO 2 ＝0 ，UO 3 ≈－1.3V ，UO 4 ≈2V ，UO 5 ≈1.3V ， UO 6 ≈－2V 。 四、已知稳压管的稳压值 UZ ＝6V ，稳定电流的最小值 I Z m i n ＝5mA 。求 图 T1.4 所示电路中 UO 1 和 UO 2 各为多少伏。 图 T1.4 解：UO 1 ＝6V ，UO 2 ＝5V 。 第一章题解－2 五、某晶体管的输出特性曲线如图 T1.5 所示，其集电极最大耗散功率 P C M ＝200mW ，试画出它的