40Gb_sDWDM传送技术及实际考虑.docVIP

中国无线电电子学!电信技术类核心期刊 !#$% ’(’) 传送技术及实际考虑 !# $% ’()*+,-./012345678 9: !#$$; 摘要 = $%’( *+*, ?@ABCDEFGH IJ $%’( ?KLMNOAPQR-SH TU $%’( *+*, ?@ABVWXYHZ[\]^_C‘aHb #$%’( N $%’( ?KABCcde#WDfghHijk =lE $%’( ?@ABmnebop 关键词 qr stuqr Ivwxyz{ |}~w QR-S 中图分类号 文献标识码 %’!’()) * 上接第 * 期# +,- !#$% ./0123145/ 技术 %+,-./0-12+ 是将 3435 光发射器和光接收器集 成为一个高度密集的光电模块$ 就象一个电子元件$ 可以直接插入系统制造商的电路板中$与电路板的接 口 则 通 过 电 复 用 ! 解 复 用 技 术 转 变 成 为 多 路 低 速 信 号% 跟现今的光收发器6%+,-.72892+:相比$最大区别是 光收发器属于模组层次$而 %+,-./0-12+ 则属于光通信 次系统% $;=. %+,-./0-12+ 将 $;=. 的信号转化成 多路的低速信号$ 缓解了传输系统的高速设计压力$ 已成为 $;=. 传输系统设计十分重要技术$并面临技 于 $;=. %+,-./0-12+ 最为关键! 难度最大的复用=解 复用6含 @3J:和驱动放大器来说$尽管目前 A8;2 可用 作 $#;=. 的复用=解复用器6 包 含 @3J 功能:! 驱动 放 大器的材料% 但从下一步的发展分析$可能需要采用 D-C 材料% D-C 属于半导体!G族成员$这种材料具有 电压低!功耗低!尺寸小等特色$可以小于 )KK!$电光 效应比其他材料都强$而且可以用来构成各种有源和 无源的集成器件% 在业务接口问题上$近期的一种可能是提供 $ 个 );=. 的接口$最终可能是 );=.!$;=. 短距离6AJ: 或甚短距离6IAJ: 接口!);? 和 $;? 等 之间的一种 或混合$其重大挑战是如何把这些业务接口模块低成 本地进行高密度集成% 术!复杂度及密集度三方面的巨大挑战% 图 # 示出一 种可能基于 );=. 业务接口! 具有数字包封及 ?@ 功能!A3B 复用!新型的 $;=. %+,-./0-12+ 结构% 在光前端设备中$$;=. 的 CD 和互阻跨导放大 器6%D*:已走出实验室$ 部分公司已开始少量供货$ 进 一步的设计压力是如何将 $;=. 的 CD 和 %D* 集成 到一起$ 以提高灵敏度并尽可能地降低成本和尺寸% 光 调 制 器 在 $;=. 的 %+,-./0-12+ 中 扮 演 将 $;=. * !#$% ’(’) 传送系统方案 从目前情况分析$ 对于 $;=. 的光传送系统$可 以作如下分类 )#超高容量6LB@:G长距离6EB:系统’ !# 超高容量6LB@:G 扩展长距离6?EB:=超长距离 6LEB:系统’ ##$;=. 超高容量无中继传输系统% 图 $ 给出了 );=. 3435 系统向 $;=. 扩展的 电信号转换为光信号的重要角色$ 目前基于 E8F# 马赫G曾德尔型调制器和电吸收调制器的 $;=. 光调 制器已率先开始商用$其中 E8F# 马赫G曾德尔型调 制器需要大于 HI/G/ 的驱动电压$而 ?*5 的调制电压 约为 !(HI/G/$但前者要比 ?*5 具有更低的插入损耗% 各类高速器件如复用=解复用!$#;=. 数字包封! 时钟及数据恢复芯片等#需要在物理极限速率下可靠 工作$给 $;=. 的材料设计带来了一个崭新课题% 对 收稿日期!#))M 作者简介 伍浩成$男$工程师$)’N# 年生$)’’O 年毕业于浙江大学$现在中国 电子科技集团公司第三十四研究所从事光通信研究开发工作% 图 * 一种 !#$% ./0123145/ 结构及面临挑战 图 ! ’%!#$% )*%+)*%,)*-,*. 系统方案 基本系统结构! 其中%’ 对应 于传输距离 小于 ()* 输应用 限于各方面的技术原因! 直至最近! 超高容量无 中继传输通道速率才从 (5146 跨向 $5146!且其无中 继传输距离在 #)* 以上 图 : 给出了 30C0!( 报 道的一个传输距离最长的 $5146 高容量无中继系统 配置 如图 : 所示!整个线路系统由两段 D;)* 的 EFGG 扩大正色散 光纤$33-/97!EFGG 为 (A:**!# 色 散 为H !!I64J*4)*%和一段 (()* 的非零色散位移光纤BK- 9=7!EFGG 为 ::**!# 色散为-!I64J*4)*’ 构成! 具有 $? 功率输出的 ($