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第22卷 第3期 固体电子学研究与进展 V o l. 22,N o. 3
2002 年 8 月 R E SEA R CH PRO GR E SS O F SSE A u g. , 2002
高介电常数材料在半导体存储器件中的应用
邵天奇 任天令 李春晓 朱 钧
(清华大学微电子学研究所, 北京, 100084)
200 10 109 收稿, 200 106 11 收改稿
摘要: 高介电常数材料是当前微电子行业最热门的研究课题之一。它的应用为解决当前半导体器件尺寸缩
小导致的栅氧层厚度极限问题提供了可能性, 同时利用一些高介电常数材料具有的特殊物理特性, 可实现具有
特殊性能的新型器件。文中主要介绍几类常用的高介电常数材料的特性和制备方法, 及其在半导体存储器件中
的应用和前沿课题。
关键词: 高介电常数材料; 铁电体; 氮化物; 铁电存储器; 铁电场效应管
中图分类号: TN 47 文献标识码: A 文章编号:(2002) 033 1206
A ppl ica t ion of H igh D ielectr ic Con stan t M a ter ia ls
in M em ory D ev ices
SHA O T ian q i R EN T ian lin g L I Cunx iao ZHU J un
(I ns titu te of M icroelec tron ics , T s ing h ua U n iv ers ity , B e ij ing , 100084, CH N )
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