TFTLCD周边驱动电路集成化设计.pdfVIP

第! 卷# 第! 期 # 液# 晶# 与# 显# 示 ;.2 ! ，=. ! # # # # # # # # # # # # # # # $%% 年$ 月# # # ’()*+,+ -./0*12 .3 4)5/)6 ’07,812, 1*6 9),:217, # +? ，$%% 文章编号：!%%@A$@B% （$%% ）%!A%%$A%C DDA4’9 周边驱动电路集成化设计 !，$ $ ! ! !，$ !，$ 徐# 杰 ，杨# 虹 ，郭树旭 ，李英博 ，郜峰利 （! 吉林大学 电子科学与工程学院，吉林 长春# !E%%$E ，FAG1)2 ：H/IJ)+@BK ,)*1 L.G ； $ 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 北方液晶工程研究开发中心，吉林 长春# !E%%E! ） 摘# 要：根据= 沟道和M 沟道多晶硅薄膜晶体管（:.27AN) DD ）的特性，使用O0L16 作为辅助工具， 设计了应用于!E$（PQR ）S !@C DDA4’9 的栅驱动电路和数据驱动电路。依据!E$ PQR S !@C DDA4’9 的参数对电路进行了模拟，实现了小尺寸液晶屏的:AN) DD 周边集成驱动电路的设 计。 关 键 词：DDA4’9 ；:AN) DD ；O0L16 ；集成周边驱动电路 D=$@ ；D=TE# # # 文献标识码：U 中图分类号： = 沟道和 M 沟道 :AN) DD 具有良好的开关特性， !# 引# # 言 并且兼顾低功耗原则，我们采用的工作电压为：= 近年来液晶产品迅速发展起来，逐渐占领了 沟道 :AN) DD 为 !6, Y !% ; ，!V, Y !% ; （开态）X 显示市场，关于液晶的各方面研究也越来越受关 !V, Y % ;（关态）；M 沟道:AN) DD 为!6, Y Z !% ; ， ! Y Z !% ;（开态）X ! Y % ;（关态）。 注。其中多晶硅 DDA4’9 逐渐应用于移动显示 V, V, 产品中，由于多晶硅 DDA4’9 具有薄、轻巧、高分 E# 周边集成驱动电路的设计 辨率显示以及可将驱动电路集成于周边显示区域 等特点［! W ］，可以预计它的应用将会进一步扩展， 由于:AN) DD 器件的特性与用于 4N[ （大规 市场份额也会逐渐增加［T ］。而周边集成驱动电 模集成电路）的\ONAFD （金属氧化物半导体场 路可以使大规模集成电路中的外部驱动电路和接 ［ ］ 效应晶体管）的特性相同 ，本文利用 O0L16 提 口数量大幅度减少，成本也随之大大降低，最终实 供的\ON 管模型进行集成驱动电路的设计和仿 现产品的可靠性增强和整体尺寸缩小的目标。本 真。针对 !E$ （PQR ）S !@C DDA4’9 进行设计， 文用 O0L16 作为辅助工具，设计了行扫描和数据 集成周边驱动电路框图如图$ 所示。其中，栅驱