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利用紫外光刻技术进行 SU8 胶的研究 伊福廷 , 张菊芳 , 彭良强 , 韩 　勇 ( 中科院高能物理研究所同步辐射室 , 北京 100039) Email :yift @ihep . ac . on 摘要 : SU 8 光刻胶优异的性能在 M EM S 技术的发展重得到了广泛的应用 , 已经成为 M EM S 研究 中必不可少的方法之一 。SU 8 光刻胶能够进行厚度达毫米的结构研究工作 ,另一方面 SU 8 结构具 有很好的侧面垂直结构 ,通过控制工艺参数 ,能够获得满意的 SU 8 胶结构 。SU 8 光刻胶已应用于 L I GA 技术的标准化掩模制造工艺和一些器件的研究工作 。在 SU 8 胶研究过程中 ,克服了许多技 术难题 ,使得这一技术能够应用到实际的需要中。 关键词 : M EM S ; 微结构 ; SU 8 ; 光刻 中图分类号 : TN 3057 　文献标识码 : A 　文章编号 : 167 14776 (2003) 07/ 080 12603 The research of SU8 resist using UV l ithography YI Futing , ZHAN G J ufang , P EN G Liangqiang , HAN Yong ( Sy nch rot ron R adiation Facilities , I nstit ute of Hig h Energy Physics , CA S , B eij i ng 100039 , Chi na) Abstract : SU 8 resist is now widely applied to make t he st ruct ures for t he research of M EM S and has become an absolutely necessary met hod for t he M EM S work . The SU 8 resist can be used to make t he st ruct ures wit h high t hickness of 1mm , and also t he st ruct ures of SU 8 has very good p rofile wit h t he vertical sidewall and can be easily gotten . Now SU 8 resist has been used to make t he L I GA mask for t he L I GA st andar d p rocess and some devices researching work . Some technique p roblems were over come in t he develop ment of SU 8 , so it made t he technology to meet t he requirement s in applications. Key words : M EM S ; SU 8 ; micro st ruct ures ; microfabrication . 构转换成所需要的材料结构 。L I GA 技术需要同步 1 　引　言 辐射 X 光 ,这就限制了该技术的广泛应用 , 同时增 M EM S 技术的广泛应用需要有微加工技术能 加了研究成本 。ICP 技术只能在硅材料上进行大的 够制造出大高宽比微机械结构 。该结构有大的高宽 高宽比结构的制造 ,这就限制了它的应用范围。为 比的同时 ,