GB/T 13151-2005半导体器件　分立器件　第6部分：晶闸管　第三篇　电流大于100A、环境和管壳额定的反向阻断三极晶闸管空白详细规范.pdf

ICS31.080.20 K 46 沥黔 中 华 人 民 共 和 国 国 家 标 准 GB/T 13151-2005/IEC60747-6-3:1993 代替 GB/T13151-1991 半导体器件 分立器件 第6部分:晶闸管 第三篇 电流大于 100A、环境和管壳额定 的反向阻断三极晶闸管空白详细规范 Semiconductordevices- Discretedevices- Part6:thyristors- Sectionthree-Blankdetailspecificationforreverseblockingtriode thyristors,ambientandcase-rated,forcurrentsgreaterthan100A (IEC60747-6-3/QC750113:1993，IDT) 2005-03-23发布 2005-10-01实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中 国 国家 标 准 化 管 理 委 员 会 发 布 GB/T 13151-2005/IEC60747-6-3:1993 前 言 本标准是晶闸管空白详细规范系列国家标准之一，这一系列国家标准现包括: — GB/T6352 半导体器件 分立器件 第6部分:闸流晶体管 第一篇 100A以下环境或 管壳额定反向阻断三极闸流晶体管空白详细规范 — GB/T659。 半导体器件 分立器件 第6部分:闸流晶体管 第二篇 100A以下环境或 管壳额定的双向三极闸流晶体管空白详细规范 — GB/T13150 半导体器件 分立器件 电流大于100A、环境和管壳额定的双向三极晶闸管 空白详细规范 — GB/T13151 半导体器件 分立器件 第6部分:晶闸管 第三篇 电流大于 100A、环境 和管壳额定的反向阻断三极晶闸管空白详细规范 — GB/T13153 5A以上环境或管壳额定可关断晶闸管空白详细规范 本标准等同采用IEC60747-6-3:1993《半导体器件 分立器件 第6部分:晶闸管 第三篇:电流 大于 100A、环境和管壳额定的反向阻断三极晶闸管空白详细规范》(英文版)。 本标准代替GB/T13151以上环境或管壳额定反向阻断三极晶闸管空白详细规范》。 本标准等同翻译IEC60747-6-3:1993. 为便于使用，本标准作了下列编辑性修改: a) “本国际标准”一词改为 “本标准，’; b) 引用的IEC标准一律改为等同或等效采用国际标准的国家标准; c) 为与本国“前言”区别，IEC的 “前言”称，IEC前言”; d) 在极限值表中补充了安装力矩和安装力的符号M和F; e) 按照IEC标准中方括号的用法，将原文中 “whereappropriat”加不加括号和加圆括号、方括号 的不统一，统一成加方括号，即为“[适用时」”。 本标准(本版)与前版(GB/T13151-1991)相比，主要变化如下: — 标准名称中增加了引导要素文字:“半导体器件 分立器件 第6部分:晶闸管 第三篇”并作 了个别文字修改(前版的封面和首页;本版的封面和首页); — 增加了 “前言”和，IEC前言”，删去了 “附加说明，’(前版的 “附加说明”;本版的“前言”和 “IEC前 言 ，，); — 删去了第8章各表中的抽样方案及附录A追加抽样表，增加了对A,B,C,D组抽样要求的文