集成电路的分析与的设计_3.ppt

集成电路分析与设计 第三章 集成电路版图设计基础 本章概要 版图设计入门 版图设计规则 基本工艺层版图 简单逻辑门的版图设计 3.1 版图设计入门 3.1 版图设计入门 3.1 版图设计入门 3.1 版图设计入门 3.1 版图设计入门 3.1 版图设计入门 3.1 版图设计入门 3.1 版图设计入门 3.1 版图设计入门 3.1 版图设计入门 3.1 版图设计入门 3.1 版图设计入门 3.1 版图设计入门 3.1 版图设计入门 3.1 版图设计入门 3.1 版图设计入门 3.1 版图设计入门 3.1 版图设计入门 3.1 版图设计入门 3.1 版图设计入门 3.1 版图设计入门 3.1 版图设计入门 3.1 版图设计入门 3.1 版图设计入门 3.1 版图设计入门 3.1 版图设计入门 3.1 版图设计入门 3.1 版图设计入门 3.1 版图设计入门 3.1 版图设计入门 3.1 版图设计入门 3.1 版图设计入门 3.1 版图设计入门 3.1 版图设计入门 3.1 版图设计入门 3.1 版图设计入门 3.1 版图设计入门 3.1 版图设计入门 3.1 版图设计入门 3.1 版图设计入门 3.2 设计规则 3.2 设计规则 3.2 设计规则 3.2 设计规则 3.2 设计规则 3.2 设计规则 3.2 设计规则 3.2 设计规则 3.2 设计规则 3.2 设计规则 3.2 设计规则 3.2 设计规则 3.2 设计规则 3.2 设计规则 3.2 设计规则 3.2 设计规则 3.2 设计规则 3.2 设计规则 3.2 设计规则 3.2 设计规则 3.2 设计规则 3.2 设计规则 3.2 设计规则 3.2 设计规则 3.3 基本工艺层版图 3.3 基本工艺层版图 3.3 基本工艺层版图 3.3 基本工艺层版图 3.3 基本工艺层版图 3.3 基本工艺层版图 3.3 基本工艺层版图 3.3 基本工艺层版图 3.3 基本工艺层版图 3.3 基本工艺层版图 3.3 基本工艺层版图 3.3 基本工艺层版图 3.3 基本工艺层版图 3.3 基本工艺层版图 3.3 基本工艺层版图 3.3 基本工艺层版图 3.3 基本工艺层版图 3.3 基本工艺层版图 3.3 基本工艺层版图 3.3 基本工艺层版图 3.3 基本工艺层版图 3.3 基本工艺层版图 3.3 基本工艺层版图 3.3 基本工艺层版图 3.3 基本工艺层版图 3.3 基本工艺层版图 3.4 FET版图尺寸的确定 3.4 FET版图尺寸的确定 3.4 FET版图尺寸的确定 3.4 FET版图尺寸的确定 3.4 FET版图尺寸的确定 3.4 FET版图尺寸的确定 3.4 FET版图尺寸的确定 3.4 FET版图尺寸的确定 3.5 版图设计方法 3.5 版图设计方法 3.5 版图设计方法 3.5 版图设计方法 3.5 版图设计方法 3.5 版图设计方法 3.5 版图设计方法 3.5 版图设计方法 3.5 版图设计方法 3.5 版图设计方法 3.5 版图设计方法 3.5 版图设计方法 3.5 版图设计方法 3.5 版图设计方法 3.5 版图设计方法 3.5 版图设计方法 3.5 版图设计方法 3.5 版图设计方法 3.5 版图设计方法 示例 : （7） CMOS反相器-Activecontact 示例 : （8） CMOS反相器-Metal 任务 版图设计者的任务 实现符合电原理图的布局、布线 版图尺寸应满足设计规则 FET尺寸应满足电特性指标要求 尺寸确定原则 需由版图设计者确定的FET参数 沟道长度L 沟道长度W 沟道宽长比W/L(若L固定的话) FET尺寸的确定原则 使电路的特性（直流、开关）对称 符合电路性能指标要求 按最坏情况设计 与输入电平无关 nFET和pFET之不同 单元晶体管：定义 单元晶体管：作为所有其他晶体管的设计参照，只要复制、放大就能获得其他所有晶体管 最小尺寸晶体管：按设计规则尺寸设计的晶体管。常用最小尺寸晶体管作为单元晶体管 不带接触孔的最小尺寸晶体管 带有源区接触的最小晶体管 单元晶体管：放大 W/L Rlx Clx 2W/L Rlx/2 2Clx 4W/L Rlx/4 4Clx 若单位晶体管的宽长比为W/L,沟道电阻为Rlx ,栅电容为Clx,则放大 S倍后的晶体管的常数为S(W/L)、Rlx/S、SClx 单元晶体管：串联链 串联连接FET链的放大 总电阻为2Rlx 总电阻为Rlx 要使2个晶体管串联后电阻仍然等于单个晶体管的电阻，就必须将晶体管放大1倍 交叉型晶体管 用平行连接的管子构成高宽长比的FET Weff=4W 长条 方形 叉指型晶体管 单指型 双指型 可减小栅电阻 基本规则 图形和阵列尽量规则，避免采用多边形，以便得到最大的密度 n+、p