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静电放电对电子产品的危害报告 1、电子产品静电放电损害的特点 （1）隐蔽性 在静电放电造成电子产品的损害当中，活动的人体带电是一个重要原因。一般情况下， 人体所带静电电位都在1-2KV 范围，而在此电压水平上的静电放电人体一般并无直接观察， 而电子元器件却在人们不知不觉中受到损伤。 （2 ）失效分析的复杂性 静电放电损伤的失效分析工作，因电子产品的精、细、微小的结构特点而费时、费事、 费钱，要求较高的技术并往往需要使用扫描电镜等精密仪器。即使如此，有些静电损伤现象 也难以与其他原因造成的损伤加以区别，使人误把静电损伤失效当作其他失效。这在以静电 放电损害未充分认识之前，常常归因于早期失效或情况不明的失效，从而不自觉掩盖了失效 的真正原因。 （3 ）损伤具有潜在性 有些电子元器件受静电放电损伤后，仅表现出产品某些性能参数的下降，但尚未达到完 全失效的程度，如不进行全面地检测往往无法发现。例如数字电路在静电放电损伤后电流输 入电平的增加，在电路功能测试时一般不会被发现；或者静电放电使产品出现可自愈的击穿 或其他非致命的损害，但这种效应可以累加，从而形成潜在隐患，在继续使用的情况下可发 生致命失效，既难以预料又不可能事先筛选。 （4 ）损伤的随机性 只要电子元器件接触和靠近超过其静电放电敏感电压阀值的情况存在，就有可能发生静 电放电损伤，而由于静电可以在任何两种物体（包括人体）接触分离的条件下产生，故电子 元器件的静电放电损伤可能在产品从加工到制造到使用维护的任一环节，、任一步骤、与任 何有关带电人体（或物体）接触时发生，具有很大的随机性。 2、器件类型的元件对静电的敏感程度 20 世纪70 年代中期后，集成电路技术迅速发展，集成规模不断扩大，集成密度日益提 高，产品越来微小型化，MOS 工艺已日益成为集成电路制造的主导技术。MOS 电路栅氧 化层横截面厚度的减薄使其耐压相对降低。 一些器件类型的静电敏感电压值 耐静电放电 耐静电放电 器件类型 器件类型 电压值（V ） 电压值（V ） VMOS 30-1800 运算放大器 190-2500 MOSFET 100-200 JEFT 140-1000 GaAsfet 100-300 SCL 680-1000 PROM 100 STTL 300-2500 CMOS 250-2000 DTL 380-7000 HMOS 50-500 肖特基二极管 300-3000 E/DMOS 200-1000 双极型二极管 380-7000 石英压电 ECL 300-2500 ＜10000 晶体器件 3、电子元器件静电损伤的失效类型 （1）突发性完全失效 这种类型是指由于静电放电造成电子元器件自身短路、开路、功能丧失或参数不合格 等，因而立即失去其工作能力。 在这种模式的失效中，既包括与电压相关的失效（介质击穿、PN 结反向漏电等），也 包括与功率相关的失效（铝条烧断、硅片局部区域熔化、PN 结边缘损伤导致的严重漏电、 增益下降等）。除静电放电造成的失效外，静电场力的破坏作用（如引线被拉断、静电吸附 等）也是导致电子产品静电失效的原因之一。 据有关统计资料表明，在受静电损伤的半导体器件中，突发性完全失效约占失效总数的 10%。这种损伤通常能够在生产过程中的质量检测中能够发现，因此给工厂带来的主要是返 工维修的成本。 （2 ）潜