集成电路制备工艺.pptxVIP

集成电路 微电子技术课程pptContents集成电路的定义集成电路的分类集成电路的工艺微电子技术课程ppt集成电路定义集成电路（integrated circuit）是一种微型电子器件或部件。采用一定的工艺，把一个电路中所需的晶体管、二极管、电阻、电容和电感等元件及布线互连一起，制作在一小块或 几小块半导体晶片或介质基片上，然后封装在一个管壳内，成为具有所需电路功能的微型结构；其中所有元件在结构上已组成一个整体，使电子元件向着微小型化、 低功耗和高可靠性方面迈进了一大步。它在电路中用字母“IC”表示。微电子技术课程ppt集成电路分类按其功能结构：可以分为模拟集成电路、数字集成电路和数/模混合集成电路三大/albums/1355/1355/0/0.html#0$a54e55fbce56ab?集成电路类。按制作工艺：半导体集成电路和膜集成电路。按导电类型：双极型集成电路和单极型集成电路，他们都是数字集成电路。微电子技术课程ppt集成电路分类按集成度高低：小规模集成电路：SSI 英文全名为 Small Scale Integration, 逻辑门10个以下 或 晶体管 100个以下。中规模集成电路：MSI 英文全名为 Medium Scale Integration, 逻辑门11~100个 或 晶体管 101~1k个。大规模集成电路：LSI 英文全名为 Large Scale Integration, 逻辑门101~1k个 或 晶体管 1,001~10k个。超大规模集成电路：VLSI 英文全名为 Very large scale integration, 逻辑门1,001~10k个 或 晶体管 10,001~100k个。特大规模集成电路：ULSI 英文全名为 Ultra Large Scale Integration, 逻辑门10,001~1M个 或 晶体管 100,001~10M个。巨大规模集成电路：GLSI 英文全名为 Giga Scale Integration, 逻辑门1,000,001个以上 或 晶体管10,000,001个以上。微电子技术课程ppt集成电路生产工艺前部工序的主要工艺 1. 图形转换：将设计在掩膜版(类似于照相底片)上的图形转移到半导体单晶片上 2. 掺杂：根据设计的需要，将各种杂质掺杂在需要的位置上，形成晶体管、接触等 3. 制膜：制作各种材料的薄膜微电子技术课程ppt集成电路生产工艺图形转换：光刻：接触光刻、接近光刻、投影光刻、电子束光刻刻蚀：干法刻蚀、湿法刻蚀掺杂：离子注入 退火扩散制膜：氧化：干氧氧化、湿氧氧化等CVD：APCVD、LPCVD、PECVDPVD：蒸发、溅射微电子技术课程ppt集成电路生产工艺后部封装 （在另外厂房）（1）背面减薄（2）划片、掰片（3）粘片（4）压焊：金丝球焊（5）切筋（6）整形（7）封装（8）沾锡：保证管脚的电学接触（9）老化（10）成测（11）打字、包装微电子技术课程ppt集成电路生产工艺微电子技术课程ppt集成电路生产工艺图形转换：光刻光刻三要素：光刻胶、掩膜版和光刻机光刻胶又叫光致抗蚀剂，它是由光敏化合物、基体树脂和有机溶剂等混合而成的胶状液体光刻胶受到特定波长光线的作用后，导致其化学结构发生变化，使光刻胶在某种特定溶液中的溶解特性改变正胶：分辨率高，在超大规模集成电路工艺中，一般只采用正胶负胶：分辨率差，适于加工线宽≥3?m的线条微电子技术课程ppt集成电路生产工艺正胶：曝光后可溶 分辨率高负胶：曝光后不可溶 分辨率差微电子技术课程ppt集成电路生产工艺图形转换：光刻几种常见的光刻方法接触式光刻、接近式曝光、投影式曝光微电子技术课程ppt集成电路生产工艺图形转换：光刻接触式光刻：分辨率较高，但是容易造成掩膜版和光刻胶膜的损伤。接近式曝光：在硅片和掩膜版之间有一个很小的间隙(10～25?m)，可以大大减小掩膜版的损伤，分辨率较低投影式曝光：利用透镜或反射镜将掩膜版上的图形投影到衬底上的曝光方法，目前用的最多的曝光方式微电子技术课程ppt集成电路生产工艺图形转换：刻蚀技术 干法刻蚀 主要指利用低压放电产生的等离子体中的离子或游离基（处于激发态的分子、原子及各种原子基团等）与材料发生化学反应或通过轰击等物理作用而达到刻蚀的目的。 湿法刻蚀 利用液态化学试剂或溶液通过化学反应进行刻蚀的方法。微电子技术课程ppt集成电路生产工艺图形转换：刻蚀技术湿法腐蚀：湿法化学刻蚀在半导体工艺中有着广泛应用：磨片、抛光、清洗、腐蚀优点是选择性好、重复性好、生产效率高、设备简单、成本低缺点是钻蚀严重、对图形的控制性较差微电子技术课程ppt集成电路生产工艺图形转换：刻蚀技术干法刻蚀溅射与离子束铣蚀：通过高能惰性气体离子的物理轰击作用刻蚀，各向异性性好