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MOSFET器件性能参数名称IR第三代IRFP460MTW20N50E(TYP)IR新一代IRFP460LCFQL40N502SK2370FQA24N50F(TYP)(V)漏—源击穿电压500500500500500500(V)栅源门限电压2.0~3.03.0~5.02.5~3.5(A)通态漏极电流2020402024(25)()通态电阻0.270.20.270.0850.320.156(mJ)重复雪崩能量282817802851100(pF)输入电容420038803600580024003500(pF)输出电容870452440880500520(pF)反向传输电容3509639954555(nC)总栅电荷2101001201556590(nC)栅--源电荷294432371523(nC)栅--漏Miller电荷11049783052(ns)导通延迟时间1829181403580(ns)上升时间59907744060250(ns)关断延迟时间1109740350105200(ns)下降时间58844325065155(V)体二极管正向压降1.80.9161.81.41.01.4(ns)体二极管反向恢复时间570431570520500250选用MOSFET的3个原则反应时间：反应时间分为开启时间（）和关断时间（），开启时间等于导通延迟时间加上上升时间，即=+；关断时间等于关断延迟时间加上下降时间，即=+。以上六个型号的MOSFET中，开启时间和关断时间排列如下：器件型号IR第三代IRFP460IR新一代IRFP460LCMTW20N50E(TYP)FQL40N50FQA24N50F(TYP)2SK2370（ns）779511958032095（ns）16883181600355170驱动功率： P=WF=0.5CF=0.5**F*Q/U =0.5*F*QUQ-----栅源电荷 U-----栅源电压 F-----驱动信号频率因此得出结论： 驱动信号相同的情况下,驱动功率取决于Ｑ．以上六个型号的MOSFET中，驱动功率从小到大依次为：2SK2370,FQA24N50F,IRFP460, IRFP460LC,FQL40N50,MTW20N50E．热效应：管子工作时，等效电阻发热，发热程度与通态电阻和通态漏极电流有关，因此必须适当选取这两个参数，以便将热效应控制在一个可以接受的范围内．以上六种型号的MOSFET器件的通态漏极电流，等效电阻及热效应值如下： 参数IR第三代IRFP460IR新一代IRFP460LCMTW20N50E(TYP)FQL40N50FQA24N50F(TYP)2SK2370(A25)20()0.270.270.20.0850.1560.32E(J)10810813690128
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