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3、扩展2KB EEPROM 例：将2817A的7F00H—7FFFH共256个单元依次写入0，1，…，FFH．则可编写如下程序： ORG 0100H MOV DPTR,#7F00H MOV A,#0 LOOP: MOVX @DPTR,A WAIT: JNB P1.0,WAIT INC DPTR INC A JNZ LOOP RET 5.5.2 RAM的扩展 5.5.2.1 RAM的扩展方法 5.5.2.2 静态RAM的扩展 6116是2Kx8的SRAM芯片。图中P2.7作为6116的片选信号，P0口和P2.0—P2.2共11根地址线接6116的A0-A10. 因此 6116的地址范围为7800H-7FFFH。803l在访问6116时可用以下指令: MOVX @DPTR, A MOVX A, @DPTR 5.5.2.3 存储器地址译码方法 1.线选法 就是把单独的地址线(通常是未用的高位地址线的某一根)作为片选信号接到存储器的片选端上．只要该信号为低电平，就可选中相应的存储器芯片。这种方法的特点是连线简单，不需专门设计逻辑电路．但芯片之间的地址不连续，存储空间没有充分利用。此外，每个存储单元地址不是唯一的．存在着地址重叠区 2.地址译码法 地址译码法又有部分译码和全译码两种方式。 部分译码是指,未用的高位地址线部分参加译码,其译码输出分别连到不同的片选端．这种方法的特点类似于线选法，地址有重叠区，地址空间分散。 全译码是指，除存储器芯片所用地址线与CPU的地址线对应相连外，未用的地址线全部参加译码．通过地址译码器产生存储器的片选信号。这种方法的特点是存储器地址没有重叠区．存储单元地址是唯一的，一般微型机都是采用这种地址译码方法。 第5章 存储器 MCS-51单片机扩展存储器设计 RAM ROM 8051 128 4K 8031 128 0 5.1 半导体存储器的分类 按存储器与CPU的连接方式和用途可以分为两类：内存和外存 构成存储的材料主要有半导体与磁介质两种. 内存一般采用半导体存储器， 外存常见的有软磁盘。 5.1.1 半导体存储器的分类 随机存储器（RAM又称读/写存储器） RAM可分为双极型和MOS型 MOS型RAM分为三类： （1）动态RAM （2）静态RAM （3）非易失性RAM ROM ROM的信息只能读出，掉电后信息不会丢失 根据信息写入方式的不同可以分为 （1）掩膜ROM（简称ROM） （2）PROM （3）EPROM （4）EEPROM （5）闪烁存储器 5.1.2 半导体存储器的主要性能指标 半导体存储器的两个主要性能指标：存储容量和存取速度 1.存储容量 6116芯片有2048个存储单元，2K字节，容量为2048×8位 2.存取速度 低速 300ns 中速 100∽200ns 超高速 20ns 【例1】有256*4位芯片，问地址线多少位，数据线多少位？ [解] 地址线： 由于2x =256字，故x=8位 数据线是4位 【例2】使用256*4位芯片组成1024*4位存储器，问需要多少芯片? [解] 只扩展字：1024*4/256*4=4 片 【例3】使用256*4位芯片组成256*16位存储器，问需要多少芯片? [解] 不扩展字，只扩展位长：256*16/256*4=4 片 【例4】使用256*4位芯片组成2048*32位存储器，问需要多少芯片? [解] 需要字位同时扩展：字由256字扩展成2048字，位由4位扩展到32位，2048*32/256*4=64 片 5.2 RAM 静态RAM芯片举例 1 芯片引脚 典型型号有:6116、6264、62128、62256。+5V电源供电，双列直插，6116为24引脚封装，6264、62128、62256为28引脚封装。 各引脚功能如下: A0～A10：地址输入线。 D0～D7：双向三态数据线。 CE*： 片选信号输入。 CE*为低电平时才选中该片。 OE*： 读选通信号输入线。 WE*： 写允许信号输入线，低电平有效。 Vcc： 工作电源+5V GND： 地 芯片的工作方式 (1)写入方式.条件是：CE*=0，WE*=0，OE*=1 (2)读出方式.条件是：CE*=0，WE*=1，OE*=0 (3)低功耗维持方式. 条件是：CE*=1， 5.3 ROM 5.3.2 典型EPROM芯片介绍 EPROM芯片有多种型号，如2716（2KB），2732（4KB） 2716芯片引脚图 各引脚的作用如下： A0-A10：11条地址输入线． D0-D7：8条数据线， 编