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一种控制硅深刻蚀损伤方法的研究.pdf
一种控制硅深刻蚀损伤方法的研究
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阮 勇 , 叶双莉 , 张大成 , 任天令 , 刘理天
( 1. 清华大学 微电子所 微/ 纳器件与系统实验室 , 北京 100084 ;
2 . 北京大学 微电子研究院 , 北京 10087 1)
摘要 : 提出了提高硅深反应离子刻蚀的新方法 。该方法在硅的侧壁 P ECVD 淀积 SiO2 ,硅的底部
采用热氧化的方法形成 SiO2 。由于在刻蚀中硅与 SiO2 的刻蚀选择比为 120 ∶1～125 ∶1 , 因此
SiO2 层可以抑制在硅玻璃结构的刻蚀中出现的lag 和 footing 效应 ,扫描电镜结果也证明 ,采用改
进工艺后的硅结构在经过长时间的过刻蚀后仍然保持了完整性 。硅陀螺测试结果也证明了改进工
艺的正确性 。
关键词 : 微电子机械系统 ; 硅玻璃阳极键合 ; 硅深刻蚀 ; 刻蚀损伤
中图分类号 : TN4 05 . 983 文献标识码 : A 文章编号 : 167 14776 (2007) 07/
Study on Methods to Protect Sil icon Microstructures f rom the
Da mages in Deep Reactive Ion Etching
RU AN Yon g1 , YE Shuan gli1 , ZHAN G Dachen g2 , R EN Tianlin g1 , L IU Litian1
( 1. M icro/ N ano D ev ices an d S y s tems D i v is ion , I ns t i t ute of M icroelect ronics ,
Ts i ng h ua Uni vers ity , B eij i ng 100084 , Chi na;
)
2 . I ns t it ute of M icroelect ronics , Pek i ng Uni vers i ty , B eij i ng 10087 1 , Chi na
Abstract : N ew met ho ds for imp roving t he qualit y of t he silicon deep reactive ion et ching (D R IE)
p rocedure were inve stigat ed . It su gge st ed t hat a P ECVD o xide layer wa s depo sit ed at t he silico n
sidewall and a t her mal o xide layer wa s for med at t he silicon back side . Due to t he silicon to SiO2
et ching select
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