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本申请公开了一种绝缘体上硅衬底的电阻检测结构及检测方法,属于半导体技术领域。绝缘体上硅衬底包括依次层叠的衬底、捕陷层、埋氧层和顶硅层,电阻检测结构包括:多个接触孔,形成于埋氧层未被顶硅层覆盖的区域,且接触孔的底部暴露捕陷层;多个导电结构,形成于接触孔内,且与捕陷层接触连接;测量组件,连接于各导电结构之间,且配置为向导电结构提供电流,并根据导电结构之间的电性参数确定电阻根据本申请的绝缘体上硅衬底的电阻检测结构,通过利用绝缘体上硅衬底上的接触孔形成测量结构,可以在晶圆制造完成后立即测试,时效性高,通
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN118073325A
(43)申请公布日2024.05.24
(21)申请号202410041433.5
(22)申请日2024.01.10
(71)申请人江苏卓胜微电子股份有限公司
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