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本实用新型涉及一种基于硅光芯片的TAP‑PD,包括:硅光芯片,硅光芯片的一侧布置光纤阵列,硅光芯片上集成有锗硅探测器芯片,硅光芯片上的波导区具有进光波导和出光波导,进光波导的两端分别与光纤阵列和锗硅探测器芯片相耦合,出光波导包括:过渡波导段以及与进光波导相平行的直波导段,过渡波导段的两端分别与进光波导和直波导段相连,直波导段与光纤阵列耦合。有益效果为:通过对结构进行优化,使得整体尺寸可以实现小型化,远小于同轴封装的2mm,可以用于大光功率探测,具体来说就是大于0.1uW的光,此外,分光比灵活,可
(19)国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号CN221007929U
(45)授权公告日2024.05.24
(21)申请号202322877021.9
(22)申请日2023.10.24
(73)专利权人合肥紫钧光恒技术有限公司
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