HF3400BI 5.8A 30V SOT23 深圳黑锋科技.pdf

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HF3400BI

30VN-ChannelEnhancementModeMOSFET

GeneralDescription

TheHF3400BIusesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatecharge

andoperationwithgatevoltagesaslowas2.5V.ThisdeviceissuitableforuseasaBatteryprotection

orinotherSwitchingapplication.

FeaturesApplication

VDS30VID5.8ABatteryprotection

RDS(ON)<28mΩ@VGS10VType26mΩ

(:)Loadswitch

Uninterruptiblepowersupply

TypicalApplicationCircuit

HF3400BITypicalApplicationCircuit

AbsoluteMaximumRatings(TC25℃unlessotherwisenoted)

SymbolParameterRatingUnit

VDSDrain-SourceVoltage30V

VGSGate-SourceVoltage±12V

ID@TA25℃ContinuousDrainCurrent,VGS@4.5V15.8A

ID@TA70℃ContinuousDrainCurrent,VGS@4.5V13.1A

IDMPulsedDrainCurrent216A

PD@TA25℃TotalPowerDissipation31W

TSTGStorageTemperatureRange-55to150℃

TJOperatingJunctionTemperatureRange-55to150℃

RθJAThermalResistanceJunction-ambient1125℃/W

RθJCThermalResistanceJunction-Case180℃/W

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