模拟电子技术（中南大学）智慧树知到课后章节答案2023年下中南大学.docx

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2023-11-23 发布于浙江
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模拟电子技术（中南大学）智慧树知到课后章节答案2023年下中南大学中南大学第一章测试 BJT管的输入电阻比MOSFET的输入电阻高。 A:错 B:对答案:错稳压管的稳压作用是利用了PN结的反向截止特性。 A:对 B:错答案:错要实现BJT的放大作用，对发射结与集电结的要求是（? ? ? ? ? ?）。 A:发射结正偏，集电结正偏 B:发射结正偏，集电结反偏 C:发射结反偏，集电结正偏 D:发射结反偏，集电结反偏答案:发射结正偏，集电结反偏工作在放大区的某晶体三极管，如果当IB从12μA增大到22μA时，IC从1mA变为2mA，那么它的β?约为（?