《集成电路设计原理》期末复习试题及答案10套.docx

哈工大 2004 年 春 季学期 班号 姓名 集成电路设计原理 试 题 A 题号 一 二 三 四 五 总分 分数 填空题（40分） 1. 加n+埋层能够减小寄生pnp晶体管影响的原因是______________和________________________。 2. 加n+埋层可以减小横向pnp晶体管的___________电阻和npn晶体管的___________电阻。 3. 在典型pn结隔离工艺双极型集成电路中，隔离墙应接_______电位；_______电位相同的npn晶体管可以放在同一个隔离区；________电位相同的横向pnp晶体管可以放在同一个隔离区。 4. 六管单元TTL与非门在导通过程中，由于Rb的存在，T6管总是比T5管_________；在截止过程中，由于T6管没有基极泄放通路，T6管总是比T5管_________。 5. 在MOS电流镜电路中沟道长度选择大一些有利于________电流源的输出电阻和减小__________________效应对输出电流的影响。 6. 对于E/D NMOS与非门电路，在负载管和每个输入管的宽长比不变的情况下，输入端数越多，输出低电平越____，下降时间越____。 7. 设计CMOS反相器时（假设|Vtp|=Vtn），如果NMOS管的宽长比与PMOS管的宽长比相等，则该反向器的________时间大于________时间。这是由于________________________不同所决定的。 8. 在N阱CMOS集成电路中，n阱作为___________的衬底，一般接________电位；p型衬底硅片作为____________的衬底，一般接________电位。 第 1 页 （共 5 页） 试 题：集成电路设计原理 A 班号： 姓名： 二、画出典型pn结隔离工艺双极型集成电路中的单基极条形npn晶体管的平面图（版图）和对应的剖面图，并按工艺流程先后顺序写出所需的光刻掩膜版名称，同时在图中对应图形上标明。（16分） 第 2 页 （共 5 页）试 题：集成电路设计原理 A 班号： 姓名： 三、右图是一CMOS单元电路的版图，a) 画出对应的电路图；b) 分析电路功能，写出逻辑表达式；c) 按工艺流程的先后顺序，写图中所用到的光刻掩膜版名称，并在图中选择典型图形标明（16分） 第 3 页 （共 5 页）试 题：集成电路设计原理 A 班号： 姓名： Vi1C5VVi2 Vi1 C 5V Vi2 Vo M6 M5 M3 M7 M8 12/1.2 14/1.2 2 p M1 M2 M4 M9 M10 M11 2/3.2 24/1.4 24/1.4 16/1.2 16/1.2 12/1.2 30/1.2 120/1.4 4/1.2 I1 I2 I3 运放电路，①说明M3 和M4的作用；②说明 M6和M7的作用；③说 明M7、M5和M9的作 用。（12分） 第 4 页 （共 5 页）试 题：集成电路设计原理 A 班号： 姓名： 五、分析下面两个电路的功能，并写出各输出端的逻辑表达式。（16分） 第 5 页 （共 5 页） 哈工大 2004 年 春 季学期 集成电路设计原理 试 题 A （含答案要点） 填空题（40分） 1. 加n+埋层能够减小寄生pnp晶体管影响的原因是（加大了寄生PNP的基区宽度）和（在寄生PNP基区形成了减速场）。 2. 加n+埋层可以减小横向pnp晶体管的（基极串联）电阻和npn晶体管的（集电极串联）电阻。 3. 在典型pn结隔离工艺双极型集成电路中，隔离墙应接（最低）电位；（集电极）电位相同的npn晶体管可以放在同一个隔离区；（基极）电位相同的横向pnp晶体管可以放在同一个隔离区。 4. 六管单元TTL与非门在导通过程中，由于Rb的存在，T6管总是比T5管（晚导通）；在截止过程中，由于T6管没有基极泄放通路，T6管总是比T5管（晚截止）。 5. 在MOS电流镜电路中沟道长度选择大一些有利于（提高）电流源的输出电阻和减小（沟道长